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1. MYPI 2016703051 - MONOLITHIC ON-CHIP FINE TUNE SPIRAL INDUCTOR DEVICE

Office
Malaisie
Numéro de la demande PI 2016703051
Date de la demande 22.08.2016
Numéro de publication PI 2016703051
Date de publication 22.02.2018
Type de publication A
CIB
H01L 49/02
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
49Dispositifs à l'état solide non couverts par les groupes H01L27/-H01L47/109; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
02Dispositifs à film mince ou à film épais
H01L 27/06
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
06comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
Déposants Silterra Malaysia Sdn Bhd
Universiti Sains Malaysia
Inventeurs Yusman bin Mohd. Yusof
Shukri Korakkottil Kunhi Mohd
Othman bin Sidek
Mohd Tafir bin Mustaffa
Awatif binti Hashim
Fatemeh Banitorfian
Farshad Eshghabadi
Asrulnizam bin Abd Manaf
Norlaili binti Mohd. Noh
Mandataires YAP KAH HONG
Titre
(EN) MONOLITHIC ON-CHIP FINE TUNE SPIRAL INDUCTOR DEVICE
Abrégé
(EN) A monolithic on-chip fine tune spiral inductor device (100) comprises a semiconductor substrate (101) including a plurality of metal layers; a plurality of peripheral metal grounds (102) being formed in one of the metal layers and disposed at peripheral of the semiconductor substrate and connected to a perfect ground; a patterned metal shield (103) formed in central portion of the semiconductor substrate on the same metal layer forming the peripheral metal grounds, wherein the patterned metal shield comprises a plurality of isolated metal slots, and the plurality of isolated metal slots are isolated from each other and switched individually or in a group; a conductive inductor loop (104) having one or more turns overlying the patterned metal shield and being formed on a metal layer that is different from the one forming the peripheral metal grounds; and a plurality of switches (105) electrically coupling the peripheral metal grounds to the metal slots of the patterned metal shield.
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