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1. KR1020050083602 - GRAPHITE HEATER FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL, SINGLE CRYSTAL PRODUCTIN SYSTEM AND SINGLE CRYSTAL PRODUCTIN METHOD

Office
République de Corée
Numéro de la demande 1020057001549
Date de la demande 28.01.2005
Numéro de publication 1020050083602
Date de publication 26.08.2005
Numéro de délivrance 1010488310000
Date de délivrance 13.07.2011
Type de publication B1
CIB
C30B 15/14
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
15Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p.ex. méthode de Czochralski
14Chauffage du bain fondu ou du matériau cristallisé
Déposants SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
Inventeurs SAKURADA MASAHIRO
사쿠라다 마사히로
FUSEGAWA IZUMI
후세가와 이즈미
SOETA SATOSHI
소에타 사토시
IIDA MAKOTO
이이다 마코토
Mandataires 특허법인씨엔에스
Données relatives à la priorité JP-P-2002-00382291 27.12.2002 JP
JP-P-2002-00382307 27.12.2002 JP
JP-P-2002-00382317 27.12.2002 JP
2003111694 16.04.2003 JP
Titre
(EN) GRAPHITE HEATER FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL, SINGLE CRYSTAL PRODUCTIN SYSTEM AND SINGLE CRYSTAL PRODUCTIN METHOD
(KO) 단결정 제조용 흑연 히터및 단결정 제조장치와 단결정제조방법
Abrégé
(EN)

A graphite heater for producing single crystal by Czochralski method provided with a terminal being supplied with a current and a tubular heat generating section employing resistive heating and being disposed to surround a crucible containing melting material liquid, characterized in that the heat generating section has a heat generating slit section arranged alternately with upper slits extending downward from the upper end thereof and lower slits extending upward from the lower end thereof, at least one upper slit has a length different from that of other upper slits and/or at least one lower slit has a length different from that of other lower slits so that distribution of heat generation at the heat generating section is altered. When a silicon single crystal is pulled up in a specified flawless region or a specified flaw region, the silicon single crystal can be produced with a high production efficiency.

© KIPO & WIPO 2007

(KO)
본 발명은, 적어도, 전류가 공급되는 단자부와, 저항가열에 의한 원통상 발열부가 설치되고, 원료융액을 수용하는 도가니를 에워싸도록 배치되며, 쵸크랄스키법에 의해 단결정을 제조하는 경우에 이용되는 흑연 히터에 있어서, 상기 발열부는, 그 상단으로 부터 하향으로 연장하는 상 슬릿과, 그 하단으로 부터 상방으로 연장하는 하 슬릿이 교대(交互)로 설치되어 발열 슬릿부를 형성한 것이고, 그리고 상기 상 슬릿 내의 적어도 하나의 슬릿의 길이가 그 이외의 상 슬릿과 다르고, 및/또는 상기 하 슬릿 내의 적어도 하나의 슬릿의 길이가 그 이외의 하 슬릿과 다른 것으로서 상기 발열부의 발열분포를 변경한 것임을 특징으로 하는 단결정 제조용 히터이다.

Également publié en tant que