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1. KR1020050013215 - MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY WITH REDUCED SWITCHING FIELD

Office
République de Corée
Numéro de la demande 1020047020624
Date de la demande 17.12.2004
Numéro de publication 1020050013215
Date de publication 03.02.2005
Type de publication A
CIB
H01L 27/10
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
10comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
H01L 27/115
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
10comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105comprenant des composants à effet de champ
112Structures de mémoires mortes
115Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs
H01L 27/105
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
10comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105comprenant des composants à effet de champ
CPC
G11C 11/16
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
H01L 27/222
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
22including components using galvano-magnetic effects, e.g. Hall effects; using similar magnetic field effects
222Magnetic non-volatile memory structures, e.g. MRAM
Déposants FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC.
모토로라 인코포레이티드
Inventeurs ENGEL BRADLEY N.
엔젤,브래들리,엔.
JANESKY JASON ALLEN
제인스카이,제이슨,알렌
RIZZO NICHOLAS D.
리조,니콜라스,디.
Mandataires 정상구
신현문
이범래
Données relatives à la priorité 10173907 18.06.2002 US
Titre
(EN) MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY WITH REDUCED SWITCHING FIELD
(KO) 감소된 스위칭 필드를 갖는 자기저항식 랜덤 액세스 메모리
Abrégé
(EN)

A magnetoresistive tunneling junction memory cell (10) comprising a pinned ferromagnetic region (17) having a magnetic moment vector (47) fixed in a preferred direction in the absence of an applied magnetic field wherein the pinned ferromagnetic region has a magnetic fringing field (96), an electrically insulating material positioned on the pinned ferromagnetic region to form a magnetoresistive tunneling junction (16), and a free ferromagnetic region (15) having a magnetic moment vector (53) oriented in a position parallel or anti- parallel to that of the pinned ferromagnetic region wherein the magnetic fringing field is chosen to obtain a desired switching field.

© KIPO & WIPO 2007


(KO) 인가된 자기 필드가 없을 때 바람직한 방향으로 고정된 자기 모멘트 벡터(47)를 갖는 고정 강자성 영역(pinned ferromagnetic region; 17)을 포함하는 자기저항식 터널링 접합 메모리 셀(magnetoresistive tunneling junction memory cell; 10)에 있어서, 상기 고정된 고정 강자성 영역은 자기 프린징 필드(magnetic fringing field; 96), 저항식 터널링 접합(16)을 형성하기 위해 고정 강자성 영역 상에 위치하는 전기적 절연 물질, 및 고정 강자성 영역의 위치에 평행하거나 또는 반평행한 위치를 향하는 자기 모멘트 벡터(53)를 갖는 자유 강자성 영역(15)을 갖고, 자기 프린징 필드는 원하는 스위칭 필드를 획득하도록 선택된다.