(EN) A magnetoresistive tunneling junction memory cell (10) comprising a pinned ferromagnetic region (17) having a magnetic moment vector (47) fixed in a preferred direction in the absence of an applied magnetic field wherein the pinned ferromagnetic region has a magnetic fringing field (96), an electrically insulating material positioned on the pinned ferromagnetic region to form a magnetoresistive tunneling junction (16), and a free ferromagnetic region (15) having a magnetic moment vector (53) oriented in a position parallel or anti- parallel to that of the pinned ferromagnetic region wherein the magnetic fringing field is chosen to obtain a desired switching field.
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(KO) 인가된 자기 필드가 없을 때 바람직한 방향으로 고정된 자기 모멘트 벡터(47)를 갖는 고정 강자성 영역(pinned ferromagnetic region; 17)을 포함하는 자기저항식 터널링 접합 메모리 셀(magnetoresistive tunneling junction memory cell; 10)에 있어서, 상기 고정된 고정 강자성 영역은 자기 프린징 필드(magnetic fringing field; 96), 저항식 터널링 접합(16)을 형성하기 위해 고정 강자성 영역 상에 위치하는 전기적 절연 물질, 및 고정 강자성 영역의 위치에 평행하거나 또는 반평행한 위치를 향하는 자기 모멘트 벡터(53)를 갖는 자유 강자성 영역(15)을 갖고, 자기 프린징 필드는 원하는 스위칭 필드를 획득하도록 선택된다.
