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1. (KR1020090092269) METHODS OF FABRICATING A BARRIER LAYER WITH VARYING COMPOSITION FOR COPPER METALLIZATION

Office : République de Corée
Numéro de la demande : 1020097008929 Date de la demande : 18.10.2007
Numéro de publication : 1020090092269 Date de publication : 31.08.2009
Numéro de délivrance : 1014422820000 Date de délivrance : 23.09.2014
Type de publication : B1
Demande PCT antérieure: Numéro de la demande: PCTUS2007081776; Numéro de publication: WO2008055007 Cliquez pour voir les données
CIB :
H01L 21/205
H01L 21/4763
H01L 21/36
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
205
en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
34
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs non couverts par H01L21/06, H01L21/16 et H01L21/18156
46
Traitement de corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/36-H01L21/428161
461
pour changer les caractéristiques physiques ou la forme de leur surface, p.ex. gravure, polissage, découpage
4763
Dépôt de couches non isolantes, p.ex. conductrices, résistives sur des couches isolantes; Post-traitement de ces couches
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
34
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs non couverts par H01L21/06, H01L21/16 et H01L21/18156
36
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
Déposants : LAM RESEARCH CORPORATION
램 리써치 코포레이션
Inventeurs : YOON HYUNGSUK ALEXANDER
윤 형석 알렉산더
REDEKER FRITZ
레데커 프리츠
Mandataires : 오세일
Données relatives à la priorité : 11/591,310 31.10.2006 US
Titre : (EN) METHODS OF FABRICATING A BARRIER LAYER WITH VARYING COMPOSITION FOR COPPER METALLIZATION
(KO) 구리 금속배선에 대해 변하는 조성을 갖는 배리어층의 제조 방법
Abrégé : front page image
(EN) Various embodiments provide improved processes and systems that produce a barrier layer with decreasing nitrogen concentration with the increase of film thickness. A barrier layer with decreasing nitrogen concentration with film thickness allows the end of barrier layer with high nitrogen concentration to have good adhesion with a dielectric layer and the end of barrier layer with low nitrogen concentration (or metal-rich) to have good adhesion with copper. An exemplary method of depositing a barrier layer on an interconnect structure is provided. The method includes (a) providing an atomic layer deposition environment, (b) depositing a barrier layer on the interconnect structure with a first nitrogen concentration during a first phase of deposition in the atomic layer deposition environment. The method further includes (c) continuing the deposition of the barrier layer on the interconnect structure with a second nitrogen concentration during a second phase deposition in the atomic layer deposition environment. ©KIPO&WIPO 2009
(KO) 다양한 실시형태들은 막 두께의 증가에 따라 감소하는 질소 농도를 갖는 배리어층을 생성하는 개선된 프로세스들 및 시스템들을 제공한다. 막 두께에 따라 감소하는 질소 농도를 갖는 배리어층은, 높은 질소 농도를 갖는 배리어층의 단부가 낮은 질소 농도를 갖는 배리어층 (또는 금속-리치) 의 단부 및 유전체층과의 양호한 부착을 가질 수 있도록 하여, 구리와의 양호한 부착을 가진다. 상호접속부 구조물 상에 배리어층을 증착하는 예시적인 방법이 제공된다. 이 방법은 (a) 원자층 증착 환경을 제공하는 단계, (b) 원자층 증착 환경에서 제 1 증착 페이즈 동안 상호접속부 구조물 상에 제 1 질소 농도를 갖는 배리어층을 증착하는 단계를 포함한다. 이 방법은 (c) 원자층 증착 환경에서 제 2 증착 페이즈 동안 상호접속부 구조물 상에 제 2 질소 농도를 갖는 배리어층의 증착을 계속하는 단계를 더 포함한다.
Also published as:
CN101595550KR1020140046485WO/2008/055007