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1. KR1020200095210 - SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND DISPLAY DEVICE INCLUDING SAME

Office
République de Corée
Numéro de la demande 1020190013019
Date de la demande 31.01.2019
Numéro de publication 1020200095210
Date de publication 10.08.2020
Type de publication A
CIB
H01L 33/00
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
H01L 27/15
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
15comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
H01L 33/10
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
10ayant une structure réfléchissante, p.ex. réflecteur de Bragg en semi-conducteur
H01L 33/42
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
36caractérisés par les électrodes
40Matériaux
42Matériaux transparents
CPC
H01L 33/0008
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
0004Devices characterised by their operation
0008having p-n or hi-lo junctions
H01L 27/156
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
15including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
153in a repetitive configuration, e.g. LED bars
156two-dimensional arrays
H01L 33/005
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
005Processes
H01L 33/10
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
10with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
H01L 33/42
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
36characterised by the electrodes
40Materials therefor
42Transparent materials
Déposants 엘지전자 주식회사
LG ELECTRONICS INC.
Inventeurs BYOUNGKWON CHO
JUNGHOON KIM
조병권
김정훈
Mandataires 허용록
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND DISPLAY DEVICE INCLUDING SAME
(KO) 반도체 발광 소자, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
Abrégé
(EN)
According to an embodiment of the present invention, a semiconductor light emitting element: an n-type semiconductor layer; a p-type semiconductor layer formed in a first region on the n-type semiconductor layer; a p-type electrode formed on the p-type semiconductor layer; an n-type electrode formed in a second region different from the first region on the n-type semiconductor layer; and a magnetic layer formed under the n-type semiconductor layer, thereby maximizing light extraction efficiency of a semiconductor light emitting element having a magnetic layer. COPYRIGHT KIPO 2021

(KO)
본 발명의 실시 예에 따른 반도체 발광 소자는, n형 반도체층, 상기 n형 반도체층 상의 제1 영역에 형성되는 p형 반도체층, 상기 p형 반도체층 상에 형성되는 p형 전극, 상기 n형 반도체층 상의 상기 제1 영역과 다른 제2 영역에 형성되는 n형 전극, 및 상기 n형 반도체층의 하부에 형성되는 자성층을 포함한다.

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