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1. KR1020120109618 - 결정성막, 디바이스, 및, 결정성막 또는 디바이스의 제조방법

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Office
République de Corée
Numéro de la demande 1020127021118
Date de la demande 04.03.2011
Numéro de publication 1020120109618
Date de publication 08.10.2012
Numéro de délivrance 1014548210000
Date de délivrance 28.10.2014
Type de publication B1
CIB
H01L 21/20
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
H01L 21/268
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
26Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires
263par des radiations d'énergie élevée
268les radiations étant électromagnétiques, p.ex. des rayons laser
Déposants 가부시기가이샤 디스코
나미키 세이미쓰 하우세키 가부시키가이샤
Inventeurs 아이다 히데오
아오타 나쓰코
호시노 히토시
후루타 겐지
하마모토 도모사부로
혼조 게이지
Mandataires 유미특허법인
Données relatives à la priorité JP-P-2010-049860 05.03.2010 JP
Titre
(KO) 결정성막, 디바이스, 및, 결정성막 또는 디바이스의 제조방법
Abrégé
(KO) 에피택셜성장용 기판으로부터 분리 후에 결정축의 격차가 해소된 결정성막과 그 결정성막을 갖추는 것으로 특성이 개선된 각종 디바이스의 제공, 및 결정성막과 디바이스의 제조 방법을 제공하는 것이다. 에피택셜성장용 기판인 단결정 기판의 면위에 에피택셜 성장에 의해 두께 가300μm 이상 10mm 이하의 결정성막을 형성하고, 다음에, 단결정 기판으로부터 결정성막을 분리시키고, 분리 후에 휘어진 상태가 발생한 결정성막의 두께 방향의 상대 위치에 대해, 우묵한 모양에 휘어지고 있는 측의 면을 0%로 가정하고, 볼록한 모양에 휘어지고 있는 면을 100%로 가정했을 때에, 두께 방향의 3% 이상 50% 미만의 범위내의 결정성막내부에 펄스 레이저를 집광하여 주사하고, 펄스 레이저에 의한 다광자 흡수를 이용해 개질영역패턴을 형성하는 것으로, 결정성막의 휘어진 상태량을 감소 또는 해소해, 결정축각도의 격차를 감소 또는 해소한다.
Documents de brevet associés
WO/2011/108710
EP2544221
US20130062734
CN102763192
JPWO2011108710
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