Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. KR1020100087401 - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 및 막 형성 방법

Office
République de Corée
Numéro de la demande 1020107014186
Date de la demande 21.02.2007
Numéro de publication 1020100087401
Date de publication 04.08.2010
Numéro de délivrance 1010055180000
Date de délivrance 04.01.2011
Type de publication B1
CIB
H01L 21/324
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
324Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p.ex. recuit, frittage
H01L 21/02
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
Déposants 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
Inventeurs 우에노 마사아키
시마다 마사카즈
하나시마 타케오
모리카와 하루오
하야시다 아키라
Mandataires 특허법인지명
Données relatives à la priorité JP-P-2006-061318 07.03.2006 JP
Titre
(KO) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 및 막 형성 방법
Abrégé
(KO)
본 발명에 따른 처리실에서 기판을 처리하는 기판 처리 방법은, 기판을 처리실로 수용하는 공정; 및 가열 장치의 설정 온도와, 냉각 장치가 공급하는 유체의 유량과, 상기 처리실 내에 수용된 기판의 중심측의 온도와 그 기판의 외주측과의 온도 편차와의 상관 관계에 기반하여, 보정된 상기 설정 온도에서 상기 가열 장치가 상기 처리실 내에 수용된 기판의 외주측으로부터 가열하면서, 상기 냉각 장치가 상기 처리실의 외측에 유체를 상기 상관 관계에 기반한 유량으로 공급하여 기판의 외주측을 냉각한 상태로, 상기 처리실 내에서 상기 기판을 처리하는 공정을 포함한다.