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Paramétrages

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1. JP2022060960 - GaAsウエハ及びGaAsインゴットの製造方法

Office
Japon
Numéro de la demande 2020168750
Date de la demande 05.10.2020
Numéro de publication 2022060960
Date de publication 15.04.2022
Type de publication A
CIB
C30B 11/08
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
11Croissance des monocristaux par simple solidification ou dans un gradient de température, p.ex. méthode de Bridgman-Stockbarger
04en introduisant dans le bain fondu le matériau à cristalliser ou les réactifs le formant in situ
08tous les constituants du cristal étant ajoutés pendant la cristallisation
C30B 29/42
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
10Composés inorganiques ou compositions inorganiques
40Composés AIII BV
42Arséniure de gallium
CPC
C30B 29/42
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
40AIIIBV compounds ; wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
42Gallium arsenide
C30B 11/08
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
11Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
04adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
08every component of the crystal composition being added during the crystallisation
Déposants DOWAエレクトロニクス株式会社
Inventeurs 砂地 直也
鳥羽 隆一
赤石 晃
Mandataires 杉村 憲司
杉村 光嗣
福井 敏夫
Titre
(JA) GaAsウエハ及びGaAsインゴットの製造方法
Abrégé
(JA) 【課題】特にLiDAR用のセンサ製造に用いて好適なGaAsウエハ及びこのGaAsウエハを得ることのできるGaAsインゴットの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明によるGaAsウエハは、5.0×1017cm-3以上3.5×1018cm-3未満のシリコン濃度と、3.0×1017cm-3以上3.0×1019cm-3未満のインジウム濃度と、1.0×1018cm-3以上のボロン濃度と、を有し、平均転位密度が1500個/cm以下である。
【選択図】図2

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