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Paramétrages

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1. JP2020126882 - IMAGING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Office
Japon
Numéro de la demande 2019017030
Date de la demande 01.02.2019
Numéro de publication 2020126882
Date de publication 20.08.2020
Type de publication A
CIB
H01L 27/146
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144Dispositifs commandés par rayonnement
146Structures de capteurs d'images
G02B 5/30
GPHYSIQUE
02OPTIQUE
BÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES
5Eléments optiques autres que les lentilles
30Eléments polarisants
H04N 5/369
HÉLECTRICITÉ
04TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
NTRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5Détails des systèmes de télévision
30Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335utilisant des capteurs d'images à l'état solide  
369architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
CPC
G02B 5/30
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
5Optical elements other than lenses
30Polarising elements
H01L 27/146
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
H04N 5/369
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
369SSIS architecture; Circuitry associated therewith
Déposants SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORP
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Inventeurs NOUDO SHINICHIRO
納土 晋一郎
Mandataires 松尾 憲一郎
市川 泰央
Titre
(EN) IMAGING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(JA) 撮像素子および撮像素子の製造方法
Abrégé
(EN)

PROBLEM TO BE SOLVED: To simplify a manufacturing method of an imaging device acquiring polarization information of a photographic subject.

SOLUTION: The imaging device comprises a plurality of pixels, a separation region, and a polarization unit. Each of the plurality of pixels comprises a photoelectric conversion unit formed on a semiconductor substrate and performing photoelectric conversion of incident light. The separation region separates the photoelectric conversion units of the plurality of pixels. The polarization unit is made of the same material as that of the separation region, transmits incident light in a specific polarization direction, and makes the incident light enter the photoelectric conversion unit.

SELECTED DRAWING: Figure 5

COPYRIGHT: (C)2020,JPO&INPIT

(JA)

【課題】被写体の偏光情報を取得する撮像素子の製造方法を簡略化する。
【解決手段】撮像素子は複数の画素、分離領域および偏光部を具備する。その複数の画素は、半導体基板に形成されて入射光の光電変換を行う光電変換部がそれぞれ配置される。その分離領域は、その複数の画素の光電変換部をそれぞれ分離する。その偏光部は、その分離領域と同一の材料により構成されて特定の偏光方向の入射光を透過させてその光電変換部に入射させる。
【選択図】図5

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