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シリコン(Si)基板と、酸化物半導体層と、ショットキー電極層とを有するショットキーバリアダイオード素子であって、前記酸化物半導体層が、3.0eV以上、5.6eV以下のバンドギャップを有する多結晶及び/又は非晶質の酸化物半導体を含むショットキーバリアダイオード素子。