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デバイスのTCO層に周期波長ΛRの共鳴結合分布が設けられ、デバイスのガラス基板に周期波長ΛDの拡散結合分布が設けられた、光起電装置が考えられる。これらの周期を定めるそれぞれの表面構造は光電変換層との界面において重畳され、合同して、デバイスの周波数依存パワースペクトル密度反転を定める。別の実施形態が開示され、考えられる。