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1. JP2013118397 - COMPOUND THIN FILM SOLAR CELL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Lien permanent
Office
Japon
Numéro de la demande 2013024495
Date de la demande 12.02.2013
Numéro de publication 2013118397
Date de publication 13.06.2013
Numéro de délivrance 5833038
Date de délivrance 06.11.2015
Type de publication B2
CIB
H01L 31/06
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque
06caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
CPC
H01L 31/0749
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
04adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
06characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
072the potential barriers being only of the PN heterojunction type
0749including a AIBIIICVI compound, e.g. CdS/CulnSe2 [CIS] heterojunction solar cells
Y02E 10/541
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
10Energy generation through renewable energy sources
50Photovoltaic [PV] energy
541CuInSe2 material PV cells
Y02P 70/50
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
70Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Déposants TOSHIBA CORP
株式会社東芝
Inventeurs NAKAGAWA NAOYUKI
中川　直之
SAKURADA SHINYA
桜田　新哉
NISHIDA YASUTAKA
西田　靖孝
ITO SATOSHI
伊藤　聡
INABA MICHIHIKO
稲葉　道彦
Mandataires 池上　徹真
須藤　章
松山　允之
Données relatives à la priorité 2010049899 05.03.2010 JP
Titre
(EN) COMPOUND THIN FILM SOLAR CELL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(JA) 化合物薄膜太陽電池とその製造方法
Abrégé
(EN)

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a compound thin film solar cell that improves conversion efficiency or quality and service life of the compound thin film solar cell.

SOLUTION: In a compound thin film solar cell 100, a light absorption layer 113 and a buffer layer 114 form a junction interface. The buffer layer 114 forming the junction interface together with the light absorption layer 113 is a compound having any crystal structure of a sphalerite type structure containing at least one element selected from the group consisting of Cd, Zn, In and Ga and at least one element selected from the group consisting of S, Se and Te, a wurtzite structure or a defect spinel type structure. A lattice constant (a) of the buffer layer 114 having a zincblende structure or a lattice constant (a) of the buffer layer 114, when the wurtzite structure or the defect spinel type structure is converted into the sphalerite type structure, is not less than 0.59 nm and is not greater than 0.62 nm.

COPYRIGHT: (C)2013,JPO&INPIT


(JA)

【課題】化合物薄膜太陽電池の変換効率、又は、品質寿命を向上させた、化合物薄膜太陽電池を提供する。
【解決手段】化合物薄膜太陽電池１００は光吸収層１１３とバッファー層１１４が接合界面を形成し、光吸収層１１３と接合界面を形成するバッファー層１１４が、Ｃｄ，Ｚｎ，Ｉｎ及びＧａからなる群から選ばれる少なくとも１つの元素と、Ｓ，Ｓｅ及びＴｅからからなる群から選ばれる少なくとも１つの元素とを含む閃亜鉛鉱型構造、ウルツ鉱構造或いは欠陥スピネル型構造のいずれかの結晶構造を有する化合物であり、閃亜鉛構造のバッファー層１１４の格子定数ａ又はウルツ鉱構造或いは欠陥スピネル型構造を閃亜鉛鉱型構造に変換した時のバッファー層１１４の格子定数ａが、０．５９ｎｍ以上０．６２ｎｍ以下である。
【選択図】図１
Documents de brevet associés
CN102484164
WO/2011/108685
JPWO2011108685
US20120222742
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