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1. JPWO2012157198 - 窒化物系半導体発光素子およびその製造方法

Office
Japon
Numéro de la demande 2012528980
Date de la demande 02.05.2012
Numéro de publication WO2012157198
Date de publication 22.11.2012
Numéro de délivrance 5075298
Date de délivrance 31.08.2012
Type de publication A1
CIB
H01L 33/32
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
26Matériaux de la région électroluminescente
30contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique
32contenant de l'azote
CPC
H01L 33/02
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
H01L 33/16
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
16with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous
H01L 33/32
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
26Materials of the light emitting region
30containing only elements of group III and group V of the periodic system
32containing nitrogen
Déposants パナソニック株式会社
Inventeurs 横川 俊哉
岩永 順子
井上 彰
Mandataires 奥田 誠司
喜多 修市
梶谷 美道
岡部 英隆
三宅 章子
山口 美里
Données relatives à la priorité 2011111110 18.05.2011 JP
Titre
(JA) 窒化物系半導体発光素子およびその製造方法
Abrégé
(JA)

実施形態の窒化物系半導体発光素子は、成長面がm面であってGaN系半導体から形成されている半導体積層構造を備える。半導体積層構造は、n型半導体層と、p型半導体層と、前記p型半導体層上に設けられたp側電極と、前記n型半導体層と前記p型半導体層との間に位置する活性層とを備える。n型半導体層の厚さに対する活性層の厚さの比Dが1.8×10-4≦D≦14.1×10-4であり、p側電極の面積Sが1×102μm2≦S≦9×104μm2であり、外部量子効率が最大時の88%になる最大電流密度が2A/mm2以上である。
【選択図】図3


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