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Paramétrages

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1. JP2011204920 - LIGHT-RECEIVING ELEMENT, LIGHT-RECEIVING ELEMENT ARRAY, HYBRID TYPE DETECTION DEVICE, OPTICAL SENSOR DEVICE, AND METHOD FOR PRODUCING LIGHT-RECEIVING ELEMENT ARRAY

Office
Japon
Numéro de la demande 2010070993
Date de la demande 25.03.2010
Numéro de publication 2011204920
Date de publication 13.10.2011
Numéro de délivrance 5560818
Date de délivrance 20.06.2014
Type de publication B2
CIB
H01L 31/10
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
10caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
H01L 27/146
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144Dispositifs commandés par rayonnement
146Structures de capteurs d'images
CPC
H01L 27/1464
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
1464Back illuminated imager structures
H01L 27/14652
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14643Photodiode arrays; MOS imagers
14649Infra-red imagers
14652Multispectral infra-red imagers, having a stacked pixel-element structure, e.g. npn, npnpn or MQW structures
H01L 27/14694
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14683Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
14694The active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP
Déposants SUMITOMO ELECTRIC IND LTD
住友電気工業株式会社
Inventeurs INOGUCHI YASUHIRO
猪口 康博
INADA HIROSHI
稲田 博史
NAGAI YOICHI
永井 陽一
NAKAHATA HIDEAKI
中幡 英章
AKITA KATSUSHI
秋田 勝史
ISHIZUKA TAKASHI
石塚 貴司
FUJII KEI
藤井 慧
Mandataires 特許業務法人ハートクラスタ
渡辺 征一
Titre
(EN) LIGHT-RECEIVING ELEMENT, LIGHT-RECEIVING ELEMENT ARRAY, HYBRID TYPE DETECTION DEVICE, OPTICAL SENSOR DEVICE, AND METHOD FOR PRODUCING LIGHT-RECEIVING ELEMENT ARRAY
(JA) 受光素子、受光素子アレイ、ハイブリッド型検出装置、光学センサ装置
Abrégé
(EN)

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light-receiving element array and the like having high light-reception sensitivity in the near infrared spectrum; an optical sensor device; and a method for producing the light-receiving element array.

SOLUTION: The light-receiving element array 55 includes an n-type buffer layer 2 positioned on an InP substrate 1, a light-receiving layer 3 comprising a type-2 MQW, a contact layer 5 positioned over the light-receiving layer, and a p-type region 6 that goes through the light-receiving layer 3 and reaches the n-type buffer layer 2, wherein the p-type region, resulting from selective diffusion, is separated from the p-type region of an adjacent light-receiving element by a region that has not been selectively diffused, and a pn junction 15 is formed within the n-type buffer layer at the plane of intersection of the p-type carrier concentration of the p-type region and n-type carrier concentration in the buffer layer.

COPYRIGHT: (C)2012,JPO&INPIT


(JA)

【課題】 本発明は、近赤外域に高い受光感度を持つ、受光素子アレイ等、光学センサ装置、および受光素子アレイの製造方法を提供する。
【解決手段】 受光素子アレイ55は、InP基板1上に位置するn型バッファ層2と、タイプ2型のMQWからなる受光層3と、受光層の上に位置するコンタクト層5と、受光層3を経てn型バッファ層2に至るp型領域6とを備え、選択拡散によるp型領域は、隣の受光素子におけるp型領域とは、選択拡散されていない領域により隔てられており、n型バッファ層内において、p型領域のp型キャリア濃度と該バッファ層のn型キャリア濃度との交差面がpn接合15を形成していることを特徴とする。
【選択図】 図2


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