(JA) 【課題】 改善されたセル安定性及び性能を示すハイブリッド・バルクSOI 6T STRAMセルを提供すること。
【解決手段】 本発明は、同じ結晶配向又は異なる結晶配向を有するSOI領域及びバルク−Si領域を含む基板と、バルク−Si領域からSOI領域を分離する分離領域と、SOI領域内に配置された少なくとも1つの第1デバイス及びバルク−Si領域内に配置された少なくとも1つの第2デバイスとを含む、6T−SRAM半導体構造体を提供する。SOI領域は、絶縁層の上にシリコン層を有する。バルク−Si領域はさらに、第2デバイスの下にあるウェル領域と、浮遊体効果を安定化させる、ウェル領域へのコンタクトとを含む。ウェル・コンタクトはまた、バルク−Si領域内のFETの閾値電圧を制御して、SOI領域のFET及びバルク−Si領域のFETの組み合わせから構築されたSRAMセルのパワー及び性能を最適化するためにも用いられる。
【選択図】 図6