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1. JPWO2003105244 - 熱電素子モジュール及びその作製方法

Office
Japon
Numéro de la demande 2004512211
Date de la demande 06.06.2003
Numéro de publication WO2003105244
Date de publication 18.12.2003
Numéro de délivrance 3989486
Date de délivrance 27.07.2007
Type de publication B2
CIB
H01L 35/34
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
35Dispositifs thermoélectriques comportant une jonction de matériaux différents, c. à d. présentant l'effet Seebeck ou l'effet Peltier, avec ou sans autres effets thermoélectriques ou thermomagnétiques; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
34Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H01L 35/16
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
35Dispositifs thermoélectriques comportant une jonction de matériaux différents, c. à d. présentant l'effet Seebeck ou l'effet Peltier, avec ou sans autres effets thermoélectriques ou thermomagnétiques; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
12Emploi d'un matériau spécifié pour les bras de la jonction
14utilisant des compositions inorganiques
16comprenant du tellure, du sélénium, ou du soufre
H01L 35/32
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
35Dispositifs thermoélectriques comportant une jonction de matériaux différents, c. à d. présentant l'effet Seebeck ou l'effet Peltier, avec ou sans autres effets thermoélectriques ou thermomagnétiques; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
28fonctionnant exclusivement par effet Peltier ou effet Seebeck
32caractérisés par la structure ou la configuration de la cellule ou du thermo-couple constituant le dispositif
H02N 11/00
HÉLECTRICITÉ
02PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
NMACHINES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
11Générateurs ou moteurs non prévus ailleurs; Mouvements dits perpétuels obtenus par des moyens électriques ou magnétiques
CPC
H01L 35/32
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
35Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. exhibiting Seebeck or Peltier effect with or without other thermoelectric effects or thermomagnetic effects; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
28operating with Peltier or Seebeck effect only
32characterised by the structure or configuration of the cell or thermo-couple forming the device ; including details about, e.g., housing, insulation, geometry, module
H01L 35/34
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
35Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. exhibiting Seebeck or Peltier effect with or without other thermoelectric effects or thermomagnetic effects; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
34Processes or apparatus specially adapted for peculiar to the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
Déposants 古河電気工業株式会社
Inventeurs 植木 達彦
中村 良則
平谷 雄二
Mandataires 川和 高穂
Données relatives à la priorité 2002165094 06.06.2002 JP
2002292570 04.10.2002 JP
2002297465 10.10.2002 JP
2003076217 19.03.2003 JP
2003078117 20.03.2003 JP
2003153770 30.05.2003 JP
Titre
(JA) 熱電素子モジュール及びその作製方法
Abrégé
(JA)

下記の構造を備えることを特徴とする素子モジュール。(a)上下2枚の絶縁性基板と、(b)絶縁性基板の各基板の対向する面に接合された上下の電気回路金属層と、(c)電気回路金属層に接して形成された上下のブラストストップ層と、(d)ブラストストップ層に接して形成された上下の接合層と、(e)上下の接合層の間に形成された1対のP型半導体とN型半導体を上下のブラストストップ層を介して直列に電気的に連結して形成れた複数個のπ型素子。


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