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【課題】 MOSFETに生来的に存在する寄生バイポーラトランジスタから生じる問題を効果的に解決する。【解決手段】 MOSFETデバイスは、(a)ボディ領域と、(b)複数のボディコンタクト領域と、(c)複数のソース領域と、(d)複数のドレイン領域と、(d)ゲート領域とを備え、上面側から見ると、ソース領域及びドレイン領域は、直交する行と列に配列され、ボディコンタクト領域の少なくとも一部がソース領域及びドレイン領域のうちの4つの領域に隣接している。