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Paramétrages

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1. JP2004343032 - LIFTING MECHANISM OF WORKPIECE AND PROCESSOR OF SAME

Office Japon
Numéro de la demande 2003338585
Date de la demande 29.09.2003
Numéro de publication 2004343032
Date de publication 02.12.2004
Numéro de délivrance 4354243
Date de délivrance 07.08.2009
Type de publication B2
CIB
H01L 21/683
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
683pour le maintien ou la préhension
C23C 16/44
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44caractérisé par le procédé de revêtement
CPC
H01L 21/68742
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
683for supporting or gripping
687using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
68714the wafers being placed on a susceptor, stage or support
68742characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
H01L 21/67069
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67017Apparatus for fluid treatment
67063for etching
67069for drying etching
Déposants TOKYO ELECTRON LTD
東京エレクトロン株式会社
Inventeurs ASAKURA KENTARO
朝倉 賢太朗
Mandataires 三枝 弘明
Données relatives à la priorité 2003116390 21.04.2003 JP
Titre
(EN) LIFTING MECHANISM OF WORKPIECE AND PROCESSOR OF SAME
(JA) 被処理体の昇降機構及び処理装置
Abrégé
(EN)

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a new lifting mechanism of a workpiece capable of reducing a drawback of adhesion of a deposit due to the infiltration of gas between a lifter pin and a pin inserting hole, and to provide a processor provided with the same.

SOLUTION: This lifting mechanism of a workpiece has pin inserting holes 50 each penetrating a placing stand 38 for placing a workpiece W to be processed in a processing chamber in a vertical direction, lifter pins 52 inserted into the pin inserting holes so as to be freely lifted, and a driving means for driving the lifter pins so that the pins perform protrusion operation from the pin inserting holes, and the lifting mechanism enables the workpiece to vertically lift by the protrusion operation of the lifter pins. On the placing stage, an extending sleeve 68 constituted to protrude downward coaxially with the insertion holes 50 from its bottom portion 38b is provided, and the lifter pins are inserted in the extending sleeve.

COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

(JA)

【課題】 リフターピンとピン挿通孔の間へのガスの回り込みによる堆積物の付着などの不具合を軽減することのできる新規の被処理体の昇降機構及びこれを備えた処理装置を提供する。
【解決手段】 本発明の被処理体の昇降機構は、処理容器内にて処理される被処理体Wを載置する載置台38に上下方向に貫設されたピン挿通孔50と、ピン挿通孔に対して昇降自在に挿通されるリフターピン52と、リフターピンを駆動してピン挿通孔からリフターピンを出没動作させる駆動手段とを有し、リフターピンの出没動作によって被処理体を昇降可能とし、載置台には、その底部38bからピン挿通孔50と同軸に下方へ突出するように構成された延長スリーブ68が設けられ、延長スリーブ内にリフターピンが挿通されていることを特徴とする。
【選択図】 図2

Également publié en tant que
US2006219178