Commentaires
Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. JP2004006535 - PIEZO-ELECTRIC ELEMENT USING SUPER-HIGH ORIENTED ALUMINUM NITRIDE THIN FILM, AND ITS MANUFACTURING METHOD

Lien permanent
Office
Japon
Numéro de la demande 2002160568
Date de la demande 31.05.2002
Numéro de publication 2004006535
Date de publication 08.01.2004
Numéro de délivrance 4240445
Date de délivrance 09.01.2009
Type de publication B2
CIB
H01L 41/09
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
08Eléments piézo-électriques ou électrostrictifs
09à entrée électrique et sortie mécanique
C23C 14/34
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22caractérisé par le procédé de revêtement
34Pulvérisation cathodique
H01L 41/18
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
16Emploi de matériaux spécifiés
18pour des éléments piézo-électriques ou électrostrictifs
H01L 41/22
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
22Procédés ou appareils spécialement adaptés à l'assemblage, la fabrication ou au traitement de dispositifs piézo-électriques ou électrostrictifs, ou de leurs parties constitutives
CPC
H01L 41/316
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
41Piezo-electric devices in general; Electrostrictive devices in general; Magnetostrictive devices in general; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
22Processes or apparatus specially adapted for the assembly, manufacture or treatment of piezo-electric or electrostrictive devices or of parts thereof
31Applying piezo-electric or electrostrictive parts or bodies onto an electrical element or another base
314by depositing piezo-electric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing
316by vapour phase deposition
Y10T 29/42
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
29Metal working
42Piezoelectric device making
Déposants NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL & TECHNOLOGY
国立研究開発法人産業技術総合研究所
OMRON CORP
オムロン株式会社
FURUYA KINZOKU:KK
株式会社フルヤ金属
Inventeurs AKIYAMA MORIHITO
秋山　守人
UENO NAOHIRO
上野　直広
TATEYAMA HIROSHI
立山　博
SUNAKAWA YOSHITOSHI
砂川　佳敬
UMEUCHI YOSHIHIRO
梅内　芳浩
JINUSHI KEIICHIRO
地主　啓一郎
Mandataires 今下　勝博
岡田　賢治
Titre
(EN) PIEZO-ELECTRIC ELEMENT USING SUPER-HIGH ORIENTED ALUMINUM NITRIDE THIN FILM, AND ITS MANUFACTURING METHOD
(JA) 超高配向窒化アルミニウム薄膜を用いた圧電素子とその製造方法
front page image
Abrégé
(EN)

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a piezo-electric element of high performance which is free from hillocks and cracks, and peeling by forming a lower electrode in a W layer without interposing an adhesion layer on an inexpensive substrate such as a glass substrate, and wherein an aluminum nitride thin film is formed by super-high orienting in a c-axis.

SOLUTION: The piezo-electric element has a laminated structure wherein a lower electrode, a piezoelectric thin film and an upper electrode are formed one by one on a substrate and which is free from hillocks and cracks, and peeling. The piezoelectric element uses a super-high oriented aluminum nitride thin film wherein the lower electrode is formed of an oriented W layer whose (111) surface of W is parallel to a substrate surface, and the piezoelectric thin film is formed of a c-axis oriented aluminum nitride thin film whose rocking curve half value width (RCFWHM) is 2.5 or less.

COPYRIGHT: (C)2004,JPO


(JA)

【課題】本発明は、ガラス基板等の安価な基板上に密着層を介さずにＷ層で下部電極を形成することにより、ヒロックやクラック、剥離がなく、しかもｃ軸に超高配向した窒化アルミニウム薄膜を形成させた高性能の圧電素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、基板上に下部電極、圧電体薄膜、上部電極を順次形成した積層構造を有するヒロック、クラック及び剥離のない圧電素子であって、下部電極は基板面に対してＷの（１１１）面が平行である配向性Ｗ層で形成し、且つ圧電体薄膜はロッキングカーブ半値幅（ＲＣＦＷＨＭ）が２．５°以下のｃ軸配向窒化アルミニウム薄膜で形成したことを特徴とする超高配向窒化アルミニウム薄膜を用いた圧電素子。
【選択図】　図１
Documents de brevet associés
CN1656623
AU2003241939
WO/2003/103066
GB2405257
US20050236710
# -