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1. (IN201627035579) HIGH DENSITY STATIC RANDOM ACCESS MEMORY ARRAY HAVING ADVANCED METAL PATTERNING

Office : Inde
Numéro de la demande : 201627035579 Date de la demande : 18.10.2016
Numéro de publication : 201627035579 Date de publication : 28.10.2016
Type de publication : A
Demande PCT antérieure: Numéro de la demande: PCTUS2015026588; Numéro de publication: WO2015179050 Cliquez pour voir les données
CIB :
H01L 27/02
G11C 11/412
H01L 27/11
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
11
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
21
utilisant des éléments électriques
34
utilisant des dispositifs à semi-conducteurs
40
utilisant des transistors
41
formant des cellules avec réaction positive, c. à d. des cellules ne nécessitant pas de rafraîchissement ou de régénération de la charge, p.ex. multivibrateur bistable, déclencheur de Schmitt
412
utilisant uniquement des transistors à effet de champ
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
10
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105
comprenant des composants à effet de champ
11
Structures de mémoires statiques à accès aléatoire
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED
Inventeurs : MOJUMDER Niladri
SONG Stanley Seungchul
WANG Zhongze
YEAP Choh Fei
Données relatives à la priorité : 14/281710 19.05.2014 US
Titre : (EN) HIGH DENSITY STATIC RANDOM ACCESS MEMORY ARRAY HAVING ADVANCED METAL PATTERNING
Abrégé :
(EN) Methods and apparatus directed toward a high density static random access memory (SRAM) array having advanced metal patterning are provided. In an example provided is a method for fabricating an SRAM. The method includes forming using a self aligning double patterning (SADP) technique a plurality of substantially parallel first metal lines oriented in a first direction in a first layer. The method also includes etching the substantially parallel first metal lines using a cut mask in a second direction substantially perpendicular to the first direction to separate the substantially parallel first metal lines into a plurality of islands having first respective sides that are aligned in the first direction and second respective sides that are aligned the second direction. The method also includes forming in a second layer a plurality of second metal lines oriented in the first direction.
Also published as:
CN106463502EP3146564JP2017516313KR1020170005005WO/2015/179050