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1. EP2551908 - ELÉMENT RÉCEPTEUR DE LUMIÈRE, MATRICE À ÉLÉMENT RÉCEPTEUR DE LUMIÈRE, DISPOSITIF DE DÉTECTION HYBRIDE, DISPOSITIF DE CAPTEUR OPTIQUE, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE LA MATRICE À ÉLÉMENT RÉCEPTEUR DE LUMIÈRE

Office
Office européen des brevets (OEB)
Numéro de la demande 11759206
Date de la demande 10.03.2011
Numéro de publication 2551908
Date de publication 30.01.2013
Type de publication A4
CIB
H01L 27/146
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144Dispositifs commandés par rayonnement
146Structures de capteurs d'images
H01L 27/14
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
H01L 31/10
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
10caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
CPC
H01L 27/1464
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
1464Back illuminated imager structures
H01L 27/14652
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14643Photodiode arrays; MOS imagers
14649Infra-red imagers
14652Multispectral infra-red imagers, having a stacked pixel-element structure, e.g. npn, npnpn or MQW structures
H01L 27/14694
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14683Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
14694The active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP
Déposants SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES
Inventeurs IGUCHI YASUHIRO
INADA HIROSHI
NAGAI YOUICHI
NAKAHATA HIDEAKI
AKITA KATSUSHI
ISHIZUKA TAKASHI
FUJII KEI
États désignés
Données relatives à la priorité 2010070993 25.03.2010 JP
Titre
(DE) LICHTAUFNAHMEELEMENT, ARRAY AUS LICHTAUFNAHMEELEMENTEN, HYBRIDERKENNUNGSVORRICHTUNG, OPTISCHE SENSORVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DES ARRAYS AUS LICHTAUFNAHMEELEMENTEN
(EN) LIGHT-RECEIVING ELEMENT, LIGHT-RECEIVING ELEMENT ARRAY, HYBRID DETECTION DEVICE, OPTICAL SENSOR DEVICE, AND METHOD FOR PRODUCING LIGHT-RECEIVING ELEMENT ARRAY
(FR) ELÉMENT RÉCEPTEUR DE LUMIÈRE, MATRICE À ÉLÉMENT RÉCEPTEUR DE LUMIÈRE, DISPOSITIF DE DÉTECTION HYBRIDE, DISPOSITIF DE CAPTEUR OPTIQUE, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE LA MATRICE À ÉLÉMENT RÉCEPTEUR DE LUMIÈRE
Abrégé
(EN) The present invention provides a light receiving element array etc., having a high light-reception sensitivity in the near-infrared region, an optical sensor device, and a method for producing the light receiving element array. A light receiving element array 55 includes an n-type buffer layer 2 disposed on an InP substrate 1, an absorption layer 3 having a type-II MQW, a contact layer 5 disposed on the absorption layer, and a p-type region extending to the n-type buffer layer 2 through the absorption layer 3, wherein the p-type region formed by selective diffusion is separated from the p-type region of an adjacent light receiving element by a region that is not subjected to selective diffusion, and, in the n-type buffer layer, a p-n junction 15 is formed on a crossed face of a p-type carrier concentration of the p-type region and an n-type carrier concentration of the buffer layer.
(FR) La présente invention concerne : une matrice à élément récepteur de lumière et similaire, présentant une sensibilité élevée à la réception de lumière dans le spectre du proche infrarouge ; un dispositif de capteur optique ; et un procédé de production de la matrice à élément récepteur de lumière. La matrice à élément récepteur de lumière (55) est caractérisée : en ce qu'elle est pourvue d'une couche tampon de type n (2) positionnée sur un substrat d'InP (1), d'une couche de réception de lumière (3) comprenant un puits quantique multiple de type 2, d'une couche de contact (5) positionnée sur la couche de réception de lumière, et d'une région de type p (6) qui traverse la couche de réception de lumière (3) et qui atteint la couche tampon de type n (2) ; en ce que la région de type p, résultant d'une diffusion sélective, est séparée de la région de type p d'un élément de réception de lumière adjacent par une région qui n'a pas été diffusée sélectivement ; et en ce qu'une jonction p-n (15) est formée dans la couche tampon de type n au plan d'intersection d'une concentration de porteur de type n dans ladite couche tampon et de la concentration de porteur de type p de la région de type p.
Documents de brevet associés