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Paramétrages

Paramétrages

1. EP1730337 - NANOFILS INORGANIQUES

Office Office européen des brevets (OEB)
Numéro de la demande 05726223
Date de la demande 05.01.2005
Numéro de publication 1730337
Date de publication 13.12.2006
Type de publication A4
CIB
D TEXTILES; PAPIER
02
FILS; FINITION MÉCANIQUE DES FILS OU CORDES; OURDISSAGE OU DRESSAGE
G
CRÊPAGE OU ONDULATION DES FIBRES, FILAMENTS, FILÉS OU FILS; FILÉS OU FILS
3
Filés ou fils, p.ex. fils fantaisie; Procédés ou appareils pour leur production non prévus ailleurs
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
04
CIMENTS; BÉTON; PIERRE ARTIFICIELLE; CÉRAMIQUES; RÉFRACTAIRES
B
CHAUX; MAGNÉSIE; SCORIES; CIMENTS; LEURS COMPOSITIONS, p.ex. MORTIERS, BÉTON OU MATÉRIAUX DE CONSTRUCTION SIMILAIRES; PIERRE ARTIFICIELLE; CÉRAMIQUES; RÉFRACTAIRES; TRAITEMENT DE LA PIERRE NATURELLE
35
Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur composition; Compositions céramiques; Traitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques
622
Procédés de mise en forme; Traitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques
64
Procédés de cuisson ou de frittage
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
06
caractérisés par leur forme; caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
12
caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
22
comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIBVI
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
70
Dispositifs bipolaires
74
Dispositifs du type thyristor, p.ex. avec un fonctionnement par régénération à quatre zones
744
Dispositifs désamorçables par la gâchette
745
désamorcés par effet de champ
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
B
CHAUFFAGE ÉLECTRIQUE; ÉCLAIRAGE ÉLECTRIQUE NON PRÉVU AILLEURS
6
Chauffage par champs électriques, magnétiques ou électromagnétiques
D02G 3/00
C04B 35/64
H01L 29/06
H01L 29/22
H01L 29/745
H05B 6/00
CPC
H01B 1/10
B82Y 10/00
B82Y 30/00
C01B 19/007
C01G 9/08
C01P 2004/04
Déposants UNIV TEXAS
MASSACHUSETTS INST TECHNOLOGY
Inventeurs BELCHER ANGELA M
MAO CHUANBIN
SOLIS DANIEL J
États désignés
Données relatives à la priorité 2005000075 05.01.2005 US
53410204 05.01.2004 US
10976179 29.10.2004 US
Titre
(DE) ANORGANISCHE NANODRÄHTE
(EN) INORGANIC NANOWIRES
(FR) NANOFILS INORGANIQUES
Abrégé
(EN)
An inorganic nanowire having an organic scaffold substantially removed from the inorganic nanowire, the inorganic nanowire consisting essentially of fused inorganic nanoparticles substantially free of the organic scaffold, and methods of making same. For example, a virus-based scaffold for the synthesis of single crystal ZnS, CdS and free-standing L10 CoPt and FePt nanowires can be used, with the means of modifying substrate specificity through standard biological methods. Peptides can be selected through an evolutionary screening process that exhibit control of composition, size, and phase during nanoparticle nucleation have been expressed on the highly ordered filamentous capsid of the M13 bacteriophage. The incorporation of specific, nucleating peptides into the generic scaffold of the M13 coat structure can provide a viable template for the directed synthesis of a variety of materials including semiconducting and magnetic materials. Removal of the viral template via annealing can promote oriented aggregation-based crystal growth, forming individual crystalline nanowires. The unique ability to interchange substrate specific peptides into the linear self­assembled filamentous construct of the M 13 virus introduces a material tunability not seen in previous synthetic routes. Therefore, this system provides a genetic tool kit for growing and organizing nanowires from various materials including semiconducting and magnetic materials.

(FR)
La présente invention a trait à un nanofil inorganique comportant un squelette sensiblement extrait du nanofil, le nanofil inorganique étant essentiellement constitué de particules inorganiques fusionnées sensiblement exemptes du squelette organique, et à ses procédés de fabrication. Par exemple, un squelette à base de virus pour la synthèse de nanofils de ZdS, CdS et de L10 isolés monocristallins de CoPt et FePt peut être utilisé, avec des moyens de modification de spécificité de substrats par des procédés biologiques classiques. Des peptides peuvent être sélectionnés par un procédé de criblage évolutif qui présentent le contrôle de composition, de taille , et de phase lors de la nucléation de nanoparticules ont été exprimés sur la capside filamenteuse hautement ordonnée du bactériophage M13. L'incorporation de peptides de nucléation spécifiques dans le squelette générique de la structure d'enrobage de M13 peut fournir une matrice viable pour la synthèse dirigée d'une variété de matières comprenant des matériaux semi-conducteurs et magnétiques. L'extraction de la matrice virale par recuit peut promouvoir le tirage de cristal basé sur l'agrégation orientée, formant des nanofils monocristallins individuels. La capacité unique de translocation réciproque de peptides à substrat spécifique en une construction filamenteuse auto-assemblée linéaire du virus M13 introduit une accordabilité de matériaux inconnue dans des voies de synthèse précédentes. Par conséquent, ce système fournit une trousse d'outils génétiques pour la croissance et l'organisation de nanofils à partir de différents matériaux comprenant des matériaux semi-conducteurs et magnétiques.