Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

1. EP1704583 - CONDENSATEUR

Office Office européen des brevets (OEB)
Numéro de la demande 03783023
Date de la demande 23.12.2003
Numéro de publication 1704583
Date de publication 27.09.2006
Type de publication A1
CIB
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768
Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52
Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
522
comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
H01L 21/00
H01L 21/02
H01L 21/768
H01L 23/522
H01L 27/02
CPC
H01L 23/5223
H01L 21/76838
H01L 28/82
H01L 2924/0002
H01L 2924/3011
Y10T 29/43
Déposants ERICSSON TELEFON AB L M
Inventeurs GEVORGIAN SPARTAK
LEWIN THOMAS
ZIRATH HERBERT
MOTLAGH BAHAR
États désignés
Données relatives à la priorité 0302068 23.12.2003 SE
Titre
(DE) KONDENSATOR
(EN) CAPACITOR
(FR) CONDENSATEUR
Abrégé
(EN)
A method of creating a capacitor in an integrated circuit. According to a basic version of the invention the capacitor uses intensive fringing fields to create a capacitance. This is achieved by creating a capacitor with vertical overlapping conducting electrodes between two planes of the integrated circuit, instead of plates parallel to the planes. A capacitor according to the invention can additionally comprise horizontal, i.e. parallel plates. A capacitor according the method is also disclosed.

(FR)
La présente invention concerne un procédé permettant de créer un condensateur dans un circuit intégré. Selon une version de base de l'invention, le condensateur utilise des champs à franges de distorsion intenses pour créer une capacité. A cet effet, on crée un condensateur pourvu d'électrodes conductrices en chevauchement entre deux plans du circuit intégré, au lieu de plaques parallèles aux plans. Un condensateur selon l'invention peut également comporter des plaques horizontales, c'est-à-dire parallèles. L'invention concerne également un condensateur selon le procédé.

Également publié en tant que
KR1020067012531
US2007217122