(EN) A MOSFET device design is provided that effectively addresses the problems arising from the parasitic bipolar transistor that is intrinsic to the device. The MOSFET device comprises: (a) a body region; (b) a plurality of body contact regions; (c) a plurality of source regions; (d) a plurality of drain regions; and (d) a gate region. In plan view, the source regions and the drain regions are arranged in orthogonal rows and columns, and at least a portion of the body contact regions are bordered by four of the source and drain regions, preferably two source regions and two drain regions.
(FR) La présente invention concerne une conception de dispositif à transistor MOS à effet de champ qui permet de résoudre efficacement le problème dû au transistor bipolaire parasite qui est intrinsèque au dispositif. Le dispositif à transistor MOS à effet de champ comprend: (a) une région de corps; (b) une pluralité de régions de contact de corps; (c) une pluralité de régions de source; (d) une pluralité de régions de drain ; et (d) une région de grille. Dans une vue en plan, les régions de source et les régions de drain sont disposées en rangées et colonnes perpendiculaires et au moins une partie des régions de contact de corps est entourée par quatre régions de source et/ou de drain, de préférence par deux régions de source et deux régions de drain.