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1. EP1354360 - ELEMENT PHOTOELECTRIQUE A TRES GRANDE DYNAMIQUE DE FONCTIONNEMENT

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Office
Office européen des brevets (OEB)
Numéro de la demande 02702446
Date de la demande 25.01.2002
Numéro de publication 1354360
Date de publication 22.10.2003
Type de publication B1
CIB
H01L 27/146
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144Dispositifs commandés par rayonnement
146Structures de capteurs d'images
CPC
H01L 27/14643
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14643Photodiode arrays; MOS imagers
H01L 27/14609
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
14609Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
Déposants NEW IMAGING TECHNOLOGIES SAS
Inventeurs NI YANG
États désignés
Données relatives à la priorité 0101001 25.01.2001 FR
0200326 11.01.2002 FR
Titre
(DE) PHOTOELEKTRISCHES ELEMENT MIT SEHR GROSSEM DYNAMIKBEREICH
(EN) PHOTOELECTRIC ELEMENT WITH HIGH OPERATING DYNAMICS
(FR) ELEMENT PHOTOELECTRIQUE A TRES GRANDE DYNAMIQUE DE FONCTIONNEMENT
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Abrégé
(EN) The invention concerns a photoelectric element (1) comprising a PN junction (3) designed to be used in photovoltaic mode, and additionally comprising a switch (5) designed to selectively generate a short-circuit of the PN junction to simulate darkness condition.
(FR) L'élément photoélectrique (1) comprend une jonction PN (3) apte à être utilisée en mode photovoltaïque, et comporte en outre un interrupteur (5) apte à sélectivement créer un court-circuit de la jonction PN pour simuler une condition d'obscurité.
Documents de brevet associés
FR2819941
WO/2002/059974
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