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1. EP1012571 - DISPOSITIF PERMETTANT D'ANALYSER LES CARACTERISTIQUES D'UNE GALETTE DE SEMI-CONDUCTEUR ET METHODE D'UTILISATION DUDIT DISPOSITIF

Office Office européen des brevets (OEB)
Numéro de la demande 98926302
Date de la demande 05.06.1998
Numéro de publication 1012571
Date de publication 28.06.2000
Type de publication A1
CIB
G01B 11/06
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
BMESURE DE LA LONGUEUR, DE L'ÉPAISSEUR OU DE DIMENSIONS LINÉAIRES ANALOGUES; MESURE DES ANGLES; MESURE DES SUPERFICIES; MESURE DES IRRÉGULARITÉS DES SURFACES OU CONTOURS
11Dispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de moyens optiques
02pour mesurer la longueur, la largeur ou l'épaisseur
06pour mesurer l'épaisseur
G01N 21/21
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
NRECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
21Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de moyens optiques, c. à d. en utilisant des rayons infrarouges, visibles ou ultraviolets
17Systèmes dans lesquels la lumière incidente est modifiée suivant les propriétés du matériau examiné
21Propriétés affectant la polarisation
G01B 11/06
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
BMESURE DE LA LONGUEUR, DE L'ÉPAISSEUR OU DE DIMENSIONS LINÉAIRES ANALOGUES; MESURE DES ANGLES; MESURE DES SUPERFICIES; MESURE DES IRRÉGULARITÉS DES SURFACES OU CONTOURS
11Dispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de moyens optiques
02pour mesurer la longueur, la largeur ou l'épaisseur
06pour mesurer l'épaisseur
G01N 21/21
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
NRECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
21Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de moyens optiques, c. à d. en utilisant des rayons infrarouges, visibles ou ultraviolets
17Systèmes dans lesquels la lumière incidente est modifiée suivant les propriétés du matériau examiné
21Propriétés affectant la polarisation
CPC
G01B 11/0641
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
11Measuring arrangements characterised by the use of optical means
02for measuring length, width or thickness
06for measuring thickness, e.g. of sheet material
0616of coating
0641with measurement of polarization
Déposants THERMA WAVE INC
Inventeurs ROSENCWAIG ALLAN
OPSAL JON
ASPNES DAVID E
FANTON JEFFREY T
États désignés
Données relatives à la priorité 09015839 29.01.1998 US
08890697 11.07.1997 US
9811562 05.06.1998 US
Titre
(DE) VORRICHTUNG ZUR ANALYSE DER EIGENSCHAFTEN EINES HALBLEITERWAFERS UND METHODE ZUR VERWENDUNG DER VORRICHTUNG
(EN) AN APPARATUS FOR ANALYZING THE CHARACTERISTICS OF A SEMICONDUCTOR WAFER AND METHOD OF OPERATING SAID APPARATUS
(FR) DISPOSITIF PERMETTANT D'ANALYSER LES CARACTERISTIQUES D'UNE GALETTE DE SEMI-CONDUCTEUR ET METHODE D'UTILISATION DUDIT DISPOSITIF
Abrégé
(EN)
An optical measurement system is disclosed for evaluating samples with multi-layer thin film stacks. The optical measurement system includes a reference ellipsometer and one or more non-contact optical measurement devices. The reference ellipsometer is used to calibrate the other optical measurement devices. Once calibration is completed, the system can be used to analyse multi-layer thin film stacks. In particular, the reference ellipsometer provides a measurement which can be used to determine the total optical thickness of the stack. Using that information coupled with the measurements made by the other optical measurement devices, more accurate information about individual layers can be obtained.

(FR)
L'invention concerne un système de mesure optique qui permet d'évaluer des échantillons constitués de couches minces empilées. Le système comprend un ellipsomètre de référence et un ou plusieurs dispositifs de mesure optique sans contact. L'ellipsomètre de référence est utilisé pour étalonner les autres dispositifs de mesure. Une fois l'étalonnage réalisé, le système peut être utilisé pour analyser des couches minces empilées. Il donne notamment une mesure qui peut être utilisée pour déterminer l'épaisseur optique totale de la pile. En associant cette information aux mesures faites par les autres dispositifs de mesure optique, on obtient des informations plus précises sur les différentes couches.

Également publié en tant que