(EN) A method and apparatus that determines a concentration of ions implanted in a material is described. The method includes the steps of: 1) generating at least two excitation laser sub-pulses and a probe pulse from a single pulse emitted from a laser; 2) irradiating a region of the material with a grating pattern formed by overlapping at least two excitation laser sub-pulses to initiate a time-dependent response in the region; 3) diffracting a probe laser pulse off the region to generate at least one time-dependent signal beam; 4) detecting at least one time-dependent signal beam to generate a signal waveform; and 5) processing the signal waveform to determine the concentration of ions implanted in the material.
(FR) Cette invention se rapporte à un procédé et à un appareil, qui servent à déterminer la concentration d'ions implantés dans un matériau et qui à cet effet consistent: (1) à produire au moins deux sous-impulsions laser d'excitation et une impulsion de sonde à partir d'une seule impulsion émise par un laser; (2) à exposer une région dudit matériau à un rayonnement ayant un réseau de diffraction formé par chevauchement d'au moins deux sous-impulsions laser d'excitation, afin d'initialiser dans la région en question une réponse dépendant du temps; (3) à provoquer la diffraction d'une impulsion laser de sonde dans la direction opposée à la région en question, de façon à produire au moins un faisceau de signal dépendant du temps; (4) à détecter au moins un faisceau de signal dépendant du temps, afin de produire une forme d'onde de signal; et (5) à traiter la forme d'onde de signal pour déterminer la concentration d'ions implantés dans le matériau en question.
