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1. EP2827367 - MÉMOIRE À CHANGEMENT DE RÉSISTANCE

Office
Office européen des brevets (OEB)
Numéro de la demande 13761116
Date de la demande 12.03.2013
Numéro de publication 2827367
Date de publication 21.01.2015
Type de publication B1
CIB
H01L 45/00
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
45Dispositifs à l'état solide spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la production d'oscillations ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface, p.ex. triodes diélectriques; Dispositifs à effet Ovshinsky; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
CPC
H01L 45/08
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45Solid state devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
04Bistable or multistable switching devices, e.g. for resistance switching non-volatile memory
08based on migration or redistribution of ionic species, e.g. anions, vacancies
H01L 45/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45Solid state devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
04Bistable or multistable switching devices, e.g. for resistance switching non-volatile memory
12Details
H01L 45/1233
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45Solid state devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
04Bistable or multistable switching devices, e.g. for resistance switching non-volatile memory
12Details
122Device geometry
1233adapted for essentially vertical current flow, e.g. sandwich or pillar type devices
H01L 45/1253
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45Solid state devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
04Bistable or multistable switching devices, e.g. for resistance switching non-volatile memory
12Details
1253Electrodes
H01L 45/145
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45Solid state devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
04Bistable or multistable switching devices, e.g. for resistance switching non-volatile memory
14Selection of switching materials
145Oxides or nitrides
H01L 45/1633
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45Solid state devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
04Bistable or multistable switching devices, e.g. for resistance switching non-volatile memory
16Manufacturing
1608Formation of the switching material, e.g. layer deposition
1633by conversion of electrode material, e.g. oxidation
Déposants TOKYO INST TECH
TOSHIBA MATERIALS CO LTD
Inventeurs KAKUSHIMA KUNIYUKI
DOU CHUNMENG
AHMET PARHAT
IWAI HIROSHI
KATAOKA YOSHINORI
États désignés
Données relatives à la priorité 2012057871 14.03.2012 JP
Titre
(DE) WIDERSTANDSWECHSELSPEICHER
(EN) RESISTANCE CHANGE MEMORY
(FR) MÉMOIRE À CHANGEMENT DE RÉSISTANCE
Abrégé
(EN) A resistance change memory device with a high ON/OFF ratio can be provided. A resistance change memory device according to an embodiment includes a first electrode containing a first element, a resistance change layer provided on the first electrode and containing an oxide of the first element, an oxygen conductive layer provided on the resistance change layer, containing a second element and oxygen, having oxygen ion conductivity, and having a relative permittivity higher than a relative permittivity of the resistance change layer, and a second electrode provided on the oxygen conductive layer. The resistance change layer undergoes dielectric breakdown earlier than the oxygen conductive layer when a voltage between the first electrode and the second electrode is continuously increased from zero.
(FR) La présente invention concerne une mémoire à changement de résistance présentant un taux de marche/arrêt élevé. La mémoire à changement de résistance d'un mode de réalisation comprend : une première électrode, contenant un premier élément ; une couche à changement de résistance, formée sur la première électrode, et comprenant un oxyde du premier élément ; une couche conductrice d'oxygène, qui a été formée sur la couche à changement de résistance, qui comprend un second élément et de l'oxygène, qui présente une conductivité en ion oxygène, et qui présente une permittivité relativement plus élevée que la couche à changement de résistance ; et une seconde électrode, formée sur la couche conductrice d'oxygène. Lorsque la tension entre la première électrode et la seconde électrode est non nulle de manière continue, la couche à changement de résistance subit une rupture diélectrique antérieurement à la couche conductrice d'oxygène.