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Transistorzelle (100) mit einem Halbleitersubstrat (101), das eine Vorderseite und eine Rückseite aufweist, wobei die Vorderseite der Rückseite gegenüberliegt, wobei auf der Vorderseite eine Epitaxieschicht (102) angeordnet ist, wobei auf der Epitaxieschicht (102) Kanalgebiete (103) angeordnet sind und auf den Kanalgebieten (103) Sourcegebiete (104) angeordnet sind, wobei sich ein Graben (105) und Feldabschirmgebiete (108) von der Vorderseite des Halbleitersubstrats (101) bis in die Epitaxieschicht (102) erstrecken, wobei die Feldabschirmgebiete (108) jeweils seitlich beabstandet zum Graben (105) angeordnet sind und der Graben (105) eine geringere Tiefe aufweist als die Feldabschirmgebiete (108), dadurch gekennzeichnet, dass unterhalb des Grabens (105) ein implantiertes Aufweitungsgebiet (112) mit einer bestimmten Dicke angeordnet ist.