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1. DE000060212661 - HINTERGRUND-AUSFÜHRUNG EINER OPERATION MIT SPEICHERZELLEN

Office
Allemagne
Numéro de la demande 60212661
Date de la demande 17.09.2002
Numéro de publication 000060212661
Date de publication 08.03.2007
Type de publication T2
CIB
G11C 16/16
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
16Mémoires mortes programmables effaçables
02programmables électriquement
06Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
10Circuits de programmation ou d'entrée de données
14Circuits pour effacer électriquement, p.ex. circuits de commutation de la tension d'effacement
16pour effacer des blocs, p.ex. des réseaux, des mots, des groupes
G11C 8/08
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
8Dispositions pour sélectionner une adresse dans une mémoire numérique
08Circuits de commande de lignes de mots, p.ex. circuits d'attaque, de puissance, de tirage vers le haut, d'abaissement, circuits de précharge, pour lignes de mots
CPC
G11C 16/0483
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
04using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
0483comprising cells having several storage transistors connected in series
G11C 8/08
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
8Arrangements for selecting an address in a digital store
08Word line control circuits, e.g. drivers, boosters, pull-up circuits, pull-down circuits, precharging circuits, for word lines
G11C 11/5628
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
56using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency
5621using charge storage in a floating gate
5628Programming or writing circuits; Data input circuits
G11C 16/12
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
10Programming or data input circuits
12Programming voltage switching circuits
G11C 16/30
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
30Power supply circuits
G11C 2216/18
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
2216Indexing scheme relating to G11C16/00 and subgroups, for features not directly covered by these groups
12Reading and writing aspects of erasable programmable read-only memories
18Flash erasure of all the cells in an array, sector or block simultaneously
Déposants SANDISK CORP
Inventeurs CERNEA ADRIAN
Données relatives à la priorité 0229554 17.09.2002 US
09956201 17.09.2001 US
Titre
(DE) HINTERGRUND-AUSFÜHRUNG EINER OPERATION MIT SPEICHERZELLEN
Abrégé