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1. CN102763192 - Crystalline film, device, and production methods for crystalline film and device

Office
Chine
Numéro de la demande 201180008801.7
Date de la demande 04.03.2011
Numéro de publication 102763192
Date de publication 31.10.2012
Numéro de délivrance 102763192
Date de délivrance 20.01.2016
Type de publication B
CIB
H01L 21/20
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
H01L 21/205
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
205en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique
H01L 21/268
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
26Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires
263par des radiations d'énergie élevée
268les radiations étant électromagnétiques, p.ex. des rayons laser
CPC
C30B 33/04
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
33After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
04using electric or magnetic fields or particle radiation
H01L 21/0237
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
H01L 21/0242
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
0242Crystalline insulating materials
H01L 21/02428
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
02428Structure
H01L 21/02458
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02436Intermediate layers between substrates and deposited layers
02439Materials
02455Group 13/15 materials
02458Nitrides
H01L 21/0254
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02521Materials
02538Group 13/15 materials
0254Nitrides
Déposants 并木精密宝石株式会社
株式会社迪思科
Inventeurs 会田英雄
青田奈津子
星野仁志
古田健次
浜元友三郎
本庄庆司
Mandataires 上海音科专利商标代理有限公司 31267
Données relatives à la priorité 2010-049860 05.03.2010 JP
Titre
(EN) Crystalline film, device, and production methods for crystalline film and device
(ZH) 结晶性膜、器件、以及结晶性膜或器件的制造方法
Abrégé
(EN) Disclosed are a crystalline film in which variations in the crystal axis following separation from a substrate for epitaxial growth have been resolved, and various devices in which the properties thereof have been improved by being provided with the crystalline film. Also disclosed are production methods for the crystalline film and the devices. A crystalline film with a thickness in the range of 300 [mu]m to 10 mm is formed by means of epitaxial growth upon the surface of a single crystal substrate, which is the substrate for epitaxial growth, the crystalline film is thereafter separated from the single crystal substrate, the relative position in the thickness direction of the crystalline film where warping has occurred following separation is scanned by focusing a pulse laser in the interior of the crystalline film in the range of 3% to less than 50% in the thickness direction, on the assumption that the surface on the side curving in a concave shape is 0% and the surface curving in a convex shape is 100%, and a reforming region pattern is formed using multiphoton absorption from the pulse laser, thereby reducing or resolving the amount of warping of the crystalline film and reducing or resolving variations in the crystal axis angle.
(ZH)

本发明提供在从外延生长用衬底分离后消除了晶轴角度的偏差的结晶性膜、通过设有该结晶性膜而改善了特性的各种器件、以及结晶性膜和器件的制造方法;在作为外延生长用衬底的单晶衬底的面上通过外延生长形成厚度为300μm以上10mm以下的结晶性膜,接着,将结晶性膜从单晶衬底分离,对于分离后产生翘曲的结晶性膜的厚度方向的相对位置,在将翘曲成凹状侧的面假设为0%、翘曲成凸状侧的面假设为100%时,将脉冲激光汇聚在厚度方向的3%以上且小于50%的范围内的结晶性膜内部并进行扫描,从而利用基于脉冲激光的多光子吸收来形成改性区域图形,由此减少或消除结晶性膜的翘曲量,从而减少或消除晶轴角度的偏差。