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1. CN102484164 - 化合物薄膜太阳能电池及其制造方法

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Office
Chine
Numéro de la demande 201180003677.5
Date de la demande 04.03.2011
Numéro de publication 102484164
Date de publication 30.05.2012
Numéro de délivrance 102484164
Date de délivrance 29.04.2015
Type de publication B
CIB
H01L 31/0749
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque
06caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
072les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction
0749incluant un composé AIBIIICVI, p.ex. cellules solaires à hétérojonctions CdS/CuInSe2
H01L 31/18
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
18Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
CPC
H01L 31/0749
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
04adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
06characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
072the potential barriers being only of the PN heterojunction type
0749including a AIBIIICVI compound, e.g. CdS/CulnSe2 [CIS] heterojunction solar cells
Y02E 10/541
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
10Energy generation through renewable energy sources
50Photovoltaic [PV] energy
541CuInSe2 material PV cells
Y02P 70/50
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
70Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Déposants 株式会社东芝
Inventeurs 中川直之
樱田新哉
西田靖孝
伊藤聪
稻叶道彦
Mandataires 永新专利商标代理有限公司 72002
Données relatives à la priorité 2010-049899 05.03.2010 JP
Titre
(ZH) 化合物薄膜太阳能电池及其制造方法
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Abrégé
(ZH)

本发明的目的是提高化合物薄膜太阳能电池的转换效率或品质寿命，并提高化合物薄膜太阳能电池的性能。化合物薄膜太阳能电池(100)的特征在于：光吸收层和缓冲层形成接合界面，与所述光吸收层形成接合界面的缓冲层是含有选自Cd、Zn、In及Ga之中的至少1种元素以及选自S、Se及Te之中的至少1种元素、且具有闪锌矿型结构、纤锌矿结构或缺陷尖晶石型结构中的任一种晶体结构的化合物，闪锌结构的缓冲层的晶格常数a或者将纤锌矿结构或缺陷尖晶石型结构转换为闪锌矿型结构时的所述缓冲层的晶格常数a为0.59nm～0.62nm。
Documents de brevet associés
WO/2011/108685
JPWO2011108685
US20120222742
JP2013118397
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