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1. (CN101595550) Methods of fabricating a barrier layer with varying composition for copper metallization

Office : Chine
Numéro de la demande : 200780040881.8 Date de la demande : 18.10.2007
Numéro de publication : 101595550 Date de publication : 02.12.2009
Numéro de délivrance : 101595550 Date de délivrance : 19.09.2012
Type de publication : B
Demande PCT antérieure: Numéro de la demande: PCTUS2007081776; Numéro de publication: 2008055007 Cliquez pour voir les données
CIB :
H01L 21/20
H01L 21/36
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
34
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs non couverts par H01L21/06, H01L21/16 et H01L21/18156
36
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
CPC :
H01L 21/28562
C23C 16/029
C23C 16/34
C23C 16/45529
H01L 21/02183
H01L 21/0228
H01L 21/02304
H01L 21/3141
H01L 21/318
H01L 21/76843
H01L 21/76846
Déposants : Lam Res Corp.
朗姆研究公司
Inventeurs : Yoon Hyungsuk Alexander
衡石·亚历山大·尹
Redeker Fritz
弗里茨·雷德克
Mandataires : wu guimeng
上海胜康律师事务所 31263
上海胜康律师事务所 31263
Données relatives à la priorité : 11591310 31.10.2006 US
Titre : (EN) Methods of fabricating a barrier layer with varying composition for copper metallization
(ZH) 在原子层沉积系统中在互连结构上沉积阻障层的方法
Abrégé : front page image
(EN) Various embodiments provide improved processes and systems that produce a barrier layer with decreasing nitrogen concentration with the increase of film thickness. A barrier layer with decreasing nitrogen concentration with film thickness allows the end of barrier layer with high nitrogen concentration to have good adhesion with a dielectric layer and the end of barrier layer with low nitrogen concentration (or metal-rich) to have good adhesion with copper. An exemplary method of depositing a barrier layer on an interconnect structure is provided. The method includes (a) providing an atomic layer deposition environment, (b) depositing a barrier layer on the interconnect structure with a first nitrogen concentration during a first phase of deposition in the atomic layer deposition environment. The method further includes (c) continuing the deposition of the barrier layer on the interconnect structure with a second nitrogen concentration during a second phase deposition in the atomic layer deposition environment.
(ZH)

本发明的各种实施方式提供了改进的工艺和系统,该工艺和系统生产具有随着薄膜厚度的增加而减少的氮浓度的阻障层。具有随着薄膜厚度的增加而减少的氮浓度的阻障层使得具有高氮浓度的阻障层末端与电介质层有良好的粘着性,且具有低氮浓度(或富含金属)的阻障层末端与铜有良好的粘着性。提供一种在互连结构上沉积阻障层的方法。该方法包括(a)提供原子层沉积环境,(b)在该原子层沉积环境中,在第一相位沉积期间,在该互连结构上沉积具有第一氮浓度的阻障层。该方法还包括(c)在该原子层沉积环境中,在第二相位沉积期间,继续在该互连结构上沉积具有第二氮浓度的阻障层。


Also published as:
KR1020090092269KR1020140046485WO/2008/055007