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1. CN101160667 - A hybrid bulk-soi 6t-sram cell for improved cell stability and performance

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[ ZH ]

权利要求书

1.一种6T-SRAM单元半导体结构,包括:
包括SOI区域和块Si区域的衬底,其中所述SOI区域和所述块Si区域具有相同或者不同的晶体取向;
将所述SOI区域与所述块Si区域分离的隔离区域;
位于所述块Si区域中器件下方的阱区域和到所述阱区域的接触,其中所述接触稳定浮体效应并且提供用于通过施加偏置电压来调节所述块Si区域中FET内阈值电压的手段;以及
器件配置,选自于:(a)位于所述块Si区域中的两个旁栅nFET器件和两个下拉nFET器件以及位于所述SOI区域中的两个上拉pFET器件;(b)位于所述块Si区域中的两个下拉nFET器件以及位于所述SOI区域中的两个旁栅nFET器件和两个上拉pFET器件;以及(c)位于所述块Si区域中的两个上拉pFET器件以及位于所述SOI区域中的两个下拉nFET和两个旁栅nFET。

2.根据权利要求1所述的6T-SRAM单元半导体结构,其中存在器件配置(a)。

3.根据权利要求2所述的6T-SRAM单元半导体结构,其中所述块Si区域和所述SOI区域具有相同的晶体取向。

4.根据权利要求3所述的6T-SRAM单元半导体结构,其中所述相同的晶体取向是(100)。

5.根据权利要求2所述的6T-SRAM单元半导体结构,其中所述块Si区域和所述SOI区域具有不同的晶体取向。

6.根据权利要求5所述的6T-SRAM单元半导体结构,其中所述不同的晶体取向包括(100)、(110)或者(111)。

7.根据权利要求2所述的6T-SRAM单元半导体结构,其中所述块Si区域和所述SOI区域包括相同或者不同的半导体材料。

8.根据权利要求7所述的6T-SRAM单元半导体结构,其中所述半导体材料是含Si的半导体材料。

9.根据权利要求1所述的6T-SRAM单元半导体结构,其中存在器件配置(b)。

10.根据权利要求9所述的6T-SRAM单元半导体结构,其中所述块Si区域和所述SOI区域具有相同的晶体取向。

11.根据权利要求10所述的6T-SRAM单元半导体结构,其中所述相同的晶体取向是(100)。

12.根据权利要求9所述的6T-SRAM单元半导体结构,其中所述块Si区域和所述SOI区域具有不同的晶体取向。

13.根据权利要求12所述的6T-SRAM单元半导体结构,其中所述不同的晶体取向包括(100)、(110)或者(111)。

14.根据权利要求9所述的6T-SRAM单元半导体结构,其中所述块Si区域和所述SOI区域包括相同或者不同的半导体材料。

15.根据权利要求14所述的6T-SRAM单元半导体结构,其中所述半导体材料是含Si的半导体材料。

16.根据权利要求1所述的6T-SRAM单元半导体结构,其中存在器件配置(c)。

17.根据权利要求16所述的6T-SRAM单元半导体结构,其中所述块Si区域和所述SOI区域具有相同的晶体取向。

18.根据权利要求17所述的6T-SRAM单元半导体结构,其中所述相同的晶体取向是(100)。

19.根据权利要求16所述的6T-SRAM单元半导体结构,其中所述块Si区域和所述SOI区域具有不同的晶体取向。

20.根据权利要求19所述的6T-SRAM单元半导体结构,其中所述不同的晶体取向包括(100)、(110)或者(111)。

21.根据权利要求16所述的6T-SRAM单元半导体结构,其中所述块Si区域和所述SOI区域包括相同或者不同的半导体材料。

22.根据权利要求21所述的6T-SRAM单元半导体结构,其中所述半导体材料是含Si的半导体材料。