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Paramétrages

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1. CN1894794 - High energy ESD structure and method

Office Chine
Numéro de la demande 200480037827.4
Date de la demande 26.11.2004
Numéro de publication 1894794
Date de publication 10.01.2007
Numéro de délivrance 1894794
Date de délivrance 15.12.2010
Type de publication B
CIB
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
H01L 27/02
CPC
H01L 27/0255
Déposants Semiconductor Components Ind
半导体元件工业有限责任公司
Inventeurs Zdebel Peter J.
彼得·J.·赞德贝尔
Dow Diann Michelle
迪安·M.·陶
Mandataires qin chen
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038
Données relatives à la priorité 10750267 02.01.2004 US
Titre
(EN) High energy ESD structure and method
(ZH) 半导体同心环ESD结构和方法
Abrégé
(EN)
A concentric ring ESD structure(10) includes a first p-type region(16) and a second p-type region(19) formed in a layer of semiconductor material(27). The two p-type regions(16, 19) are coupled together with a floating n-type buried layer(26). The first and second p-type regions(16, 19) form a back-to-back diode structure with the floating n-type buried layer(26). A pair of shorted n-type(167, 197) and p-type(166, 196) contact regions is formed in each of the first and second regions(16, 19). An isolation region(17, 32) is formed between the first and second p-type regions(16, 19).

(ZH)

一种同心环ESD结构(10)包括在一层半导体材料(27)中形成的第一p型区域(16)和第二p型区域(19)。两个p型区域(16,19)使用浮动n型隐埋层(26)耦连在一起。第一和第二p型区域(16,19)与浮动n型隐埋层(26)一起形成背对背二极管结构。一对短接的n型(167,197)和p型(166,196)接触区域在第一和第二区域(16,19)的每个中形成。绝缘区域(17,32)在第一和第二p型区域(16,19)之间形成。

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