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1. CN1777995 - Bipolar transistor and method for the production thereof

Office Chine
Numéro de la demande 200480010707.5
Date de la demande 19.03.2004
Numéro de publication 1777995
Date de publication 24.05.2006
Numéro de délivrance 100472800
Date de délivrance 25.03.2009
Type de publication C
CIB
H01L 29/417
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40Electrodes
41caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative
417transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/08
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02Corps semi-conducteurs
06caractérisés par leur forme; caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
08avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/732
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
70Dispositifs bipolaires
72Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués
73Transistors bipolaires à jonction
732Transistors verticaux
CPC
H01L 29/66272
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
66007Multistep manufacturing processes
66075of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
66227the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
66234Bipolar junction transistors [BJT]
66272Silicon vertical transistors
H01L 29/0821
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
06characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
08with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
0821Collector regions of bipolar transistors
H01L 29/41708
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
40Electrodes ; ; Multistep manufacturing processes therefor
41characterised by their shape, relative sizes or dispositions
417carrying the current to be rectified, amplified or switched
41708Emitter or collector electrodes for bipolar transistors
H01L 29/732
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
70Bipolar devices
72Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
73Bipolar junction transistors
732Vertical transistors
Déposants Infineon Technologies AG
因芬尼昂技术股份公司
Inventeurs Bock Josef
J·贝克
Meister Thomas
T·梅斯特
Stengl Reinhard
R·施滕格尔
Schafer Hertbert
H·谢菲尔
Mandataires zhang xuemei zhang zhicheng
中国专利代理(香港)有限公司
中国专利代理(香港)有限公司
Données relatives à la priorité 10318422.8 23.04.2003 DE
Titre
(EN) Bipolar transistor and method for the production thereof
(ZH) 双极晶体管及其制造方法
Abrégé
(EN)
The invention relates to a high-frequency-bipolar transistor (1) comprising at least one emitter contact (2) which borders on an emitter connection area (3), a base contact (4) which borders with a base connection area (5), a collector contact (6) which borders with a collector connection area (7). A buried layer (7) is provided as a collector connection area which joins the collector contact (6) to a collector area (14). The invention also relates to a method of production of one such (15) high-frequency bipolar transistor (1). The invention is characterised in that a silicide region (8) is provided on the buried layer (7), said silicide region connecting the collector contact (6) to the collector area (14) in a low-resistant manner.

(ZH)

本发明涉及一种高频双极晶体管(1),包括至少一个与发射极连接区(3)邻接的发射极接触(2)、与基极连接区(5)邻接的基极接触(4)、与集电极连接区(7)邻接的集电极接触(6)。埋层(7)作为集电极连接区域提供,用于连接集电极接触(6)和集电极区(14)。本发明也涉及制造一个这种(15)高频双极晶体管(1)的方法。本发明的特征在于在埋层(7)上提供硅化物区域(8),所述硅化物区域以低电阻的方式将集电极接触(6)连接到集电极区(14)。

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