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Paramétrages

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1. CN1729403 - Magnetoresistive layer system and sensor element with said layer system

Office
Chine
Numéro de la demande 200380106644.9
Date de la demande 18.10.2003
Numéro de publication 1729403
Date de publication 01.02.2006
Numéro de délivrance 100504426
Date de délivrance 24.06.2009
Type de publication C
CIB
G01R 33/09
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
RMESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
33Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
02Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques
06en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques
09des dispositifs magnéto-résistifs
CPC
B82Y 25/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
25Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
G01R 33/093
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
33Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
02Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
06using galvano-magnetic devices, e.g. Hall effect devices; using magneto-resistive devices
09Magnetoresistive devices
093using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
Déposants Bosch GmbH Robert
罗伯特·博世有限公司
Inventeurs Rabe Maik
M·拉比夫
Siegle Henrik
H·斯伊格勒
Mandataires su juan zhao xin
中国专利代理(香港)有限公司
中国专利代理(香港)有限公司
Données relatives à la priorité 10258860 17.12.2002 DE
Titre
(EN) Magnetoresistive layer system and sensor element with said layer system
(ZH) 磁阻层系统和具有这种层系统的传感器元件
Abrégé
(EN)
A magnetoresistive layer system (5) is disclosed, whereby a layer arrangement (15) is provided in an area of a magnetoresistive layer stack (14), working particularly on the basis of the GMR or the AMR effect, which generates a resultant magnetic field which acts n the magnetoresistive layer stack (14). The layer arrangement (15) comprises a first magnetic layer (12) and a second magnetic layer (13), separated from each other by means of a non-magnetic intermediate layer (11) and coupled for ferromagnetic interchange by means of said intermediate layer (11). Furthermore, a sensor element, in particular for the detection of magnetic fields with regards to the strength and direction thereof, comprising such a layer system (5) is disclosed.

(ZH)

提出一种磁阻层系统(5),其中在特别基于GMR效应或AMR效应基本原理工作的一个磁阻层堆叠(14)的周围设有一个层结构(15),该层结构产生一个合成磁场,该合成磁场作用于磁阻层堆叠(14)。层结构(15)具有一个第一磁层(12)和一个第二磁层(13),它们通过一个非磁中间层(11)彼此分开,并通过中间层(11)铁磁地交换耦合,其中所述磁层之一为一个由CoFe、Co及包含这些材料的磁合金构成的软磁层,另一个磁层(13)为一个由CoSm组成的硬磁层。此外还提出特别是用于检测磁场强度和方向的传感器元件,其具有一个这样的磁阻层系统(5)。