Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. CN112823427 - Semiconductor light-emitting element

Office
Chine
Numéro de la demande 202080005592.X
Date de la demande 03.07.2020
Numéro de publication 112823427
Date de publication 18.05.2021
Type de publication A
CIB
H01L 33/12
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
12ayant une structure de relaxation des contraintes, p.ex. couche tampon
H01L 33/44
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
44caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
H01L 33/48
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
H01L 25/075
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
075les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L33/81
CPC
H01L 33/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
12with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
H01L 33/44
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
44characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
H01L 33/486
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
483Containers
486adapted for surface mounting
H01L 25/0753
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
03all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00, e.g. assemblies of rectifier diodes
04the devices not having separate containers
075the devices being of a type provided for in group H01L33/00
0753the devices being arranged next to each other
Déposants TIANJIN SAN'AN OPTOELECTRONICS CO., LTD.
天津三安光电有限公司
Inventeurs LIN KUNDE
林坤德
QIU JIANSHENG
丘建生
Titre
(EN) Semiconductor light-emitting element
(ZH) 一种半导体发光元件
Abrégé
(EN) The invention provides a semiconductor light-emitting element. The semiconductor light-emitting element comprises a semiconductor epitaxial laminated layer, which is provided with a first surface and a second surface opposite to the first surface, and comprises a first conductive type semiconductor layer, a second conductive type semiconductor layer and an active layer positioned between the first conductive type semiconductor layer and the second conductive type semiconductor layer; the first electrode and the second electrode are located on the first surface of the semiconductor epitaxial laminated layer and are electrically connected with the first conductive type semiconductor layer and the second conductive type semiconductor layer respectively; the insulating layers are positioned between the first electrode and the semiconductor epitaxial laminated layer and between the second electrode and the semiconductor epitaxial laminated layer; the element is characterized by further comprising an anti-thimble buffer layer which is located between the insulating layer and the second conductive type semiconductor layer. Through the design of the anti-thimble buffer layer, the semiconductor light-emitting element can be prevented from being damaged by the thimble in the packaging process, the semiconductor light-emitting element is effectively protected, and the product yield of the semiconductor light-emitting element is improved.
(ZH) 本发明提供一种半导体发光元件,包含半导体外延叠层,具有第一表面和与第一表面相对的第二表面,包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和位于第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的活性层;第一电极和第二电极,位于半导体外延叠层的第一表面之上,分别与第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层进行电连接;绝缘层:位于第一电极和半导体外延叠层之间及第二电极和半导体外延叠层之间;其特征在于:还包括防顶针缓冲层,其位于绝缘层和第二导电类型半导体层之间。本发明通过防顶针缓冲层的设计,可避免封装过程中顶针顶伤半导体发光元件,有效地保护半导体发光元件,提升半导体发光元件的产品良率。
Documents de brevet associés