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Paramétrages

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1. CN112513347 - 同时具备中子和γ/X射线探测的晶体及其制备方法

Office
Chine
Numéro de la demande 201980050905.0
Date de la demande 21.08.2019
Numéro de publication 112513347
Date de publication 16.03.2021
Type de publication A
CIB
C30B 29/34
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
10Composés inorganiques ou compositions inorganiques
34Silicates
C30B 15/00
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
15Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p.ex. méthode de Czochralski
C30B 15/20
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
15Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p.ex. méthode de Czochralski
20Commande ou régulation
G01T 3/06
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
TMESURE DES RADIATIONS NUCLÉAIRES OU DES RAYONS X
3Mesure de flux de neutrons
06avec des détecteurs à scintillation
CPC
C30B 15/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
15Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
C30B 29/22
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
16Oxides
22Complex oxides
C09K 11/77742
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
11Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
08containing inorganic luminescent materials
77containing rare earth metals
7766containing two or more rare earth metals
77742Silicates
G01T 1/2023
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
1Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
16Measuring radiation intensity
20with scintillation detectors
202the detector being a crystal
2023Selection of materials
G01T 3/06
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
3Measuring neutron radiation
06with scintillation detectors
C07F 5/003
CCHEMISTRY; METALLURGY
07ORGANIC CHEMISTRY
FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
5Compounds containing elements of Groups 3 or 13 of the Periodic System
003without C-Metal linkages
Déposants 眉山博雅新材料有限公司
Inventeurs 王宇
官伟明
李敏
Mandataires 成都七星天知识产权代理有限公司 51253
Titre
(ZH) 同时具备中子和γ/X射线探测的晶体及其制备方法
Abrégé
(ZH)
一种可同时探测中子和γ/X射线的晶体及其制备方法,方法包括:根据反应方程式(1)或(2),对式中各反应物料进行第一预处理后按摩尔比对反应物料X2O3+yY2O3+SiO2+2xCeO2+zZ2O3进行称重:其中,x=0.0001%‑6%,y=0.001%‑100%,Z代表Li、B、Gd中的一种或多种元素,z=0.0001~6%,X代表Lu、La、Y、Gd、Pr、Ce、Nd、Pm、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Mn、Mg、Ca、Al、Fe、Sr、Ba中的一种或多种元素。SiO2超过自身重量0.01%‑10%;对晶体生长装置的至少一个部件进行装配前处理后,将执行过第二预处理的反应物料置于所述晶体生长装置内;晶体生长装置密闭后内部通入流动气体;启动所述晶体生长装置,基于上提拉法,生长晶体。

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