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1. CN111418043 - SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, AND STORAGE MEDIUM HAVING PROGRAM FOR PERFORMING SUBSTRATE PROCESSING METHOD RECORDED THEREIN

Office
Chine
Numéro de la demande 201880076270.7
Date de la demande 07.12.2018
Numéro de publication 111418043
Date de publication 14.07.2020
Type de publication A
CIB
H01L 21/304
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
H01L 21/306
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
CPC
H01L 21/304
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
H01L 21/306
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
Déposants TOKYO ELECTRON LTD
东京毅力科创株式会社
Inventeurs KAGAWA KOJI
香川兴司
TOSHIMA TAKAYUKI
户岛孝之
Mandataires 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277
Données relatives à la priorité 2017-235212 07.12.2017 JP
Titre
(EN) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, AND STORAGE MEDIUM HAVING PROGRAM FOR PERFORMING SUBSTRATE PROCESSING METHOD RECORDED THEREIN
(ZH) 基板处理装置、基板处理方法和记录有执行基板处理方法的程序的存储介质
Abrégé
(EN)
The invention aims to remove an attached material (such as a hard mask) on a substrate from the substrate effectively. This substrate processing method comprises: (A) a step of supplying a substrate with a first processing solution containing an attached material removing agent, a solvent having a boiling point lower than a boiling point of the removing agent, and a thickening agent; (B) a step, after step (A), of supplying the substrate with a second processing solution containing an organic polymer for forming a gas diffusion prevention film; (C) a step, after step (B), of heating the substrate at a predetermined temperature not lower than the boiling point of the solvent and lower than the boiling point of the removing agent, to promote evaporation of the solvent and a reaction betweenthe attached material and the removing agent; and (D) a step, after step (C), of supplying the substrate with a rinsing solution to remove the attached material from the substrate. The gas diffusion prevention film prevents a gaseous reactive product, produced by the reaction of the attached material and the removing agent in step (C), from passing through the gas diffusion prevention film and diffusing around the substrate.

(ZH)
[课题]从基板有效地去除该基板上的附着物(例如硬掩模)。[解决方案]基板处理方法包括如下工序:工序(A),向基板供给含有附着物的去除剂、具有比去除剂的沸点还低的沸点的溶剂和增稠剂的第1处理液;工序(B),在工序(A)后,向基板供给含有成为防气体扩散膜的有机聚合物的第2处理液;工序(C),在工序(B)后,将基板在溶剂的沸点以上且低于去除剂的沸点的规定温度下进行加热,促进溶剂的蒸发和附着物与去除剂的反应;和,工序(D),在工序(C)后,向基板供给冲洗液,从基板去除附着物。防气体扩散膜用来防止由工序(C)中的附着物与去除剂的反应而产生的气体状的反应性产物通过该防气体扩散膜并扩散至基板的周围。

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