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1. CN110544873 - Segmented modulation structure, laser and manufacturing method thereof

Office
Chine
Numéro de la demande 201910806579.3
Date de la demande 29.08.2019
Numéro de publication 110544873
Date de publication 06.12.2019
Numéro de délivrance 110544873
Date de délivrance 24.11.2020
Type de publication B
CIB
H01S 5/042
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
04Procédés ou appareils pour l'excitation, p.ex. pompage
042Excitation électrique
H01S 5/06
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
06Dispositions pour commander les paramètres de sortie du laser, p.ex. en agissant sur le milieu actif
H01S 5/34
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
30Structure ou forme de la région active; Matériaux pour la région active
34comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p.ex. lasers à puits quantique unique , lasers à plusieurs puits quantiques ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif
CPC
H01S 5/0425
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
04Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, ; e.g. by electron beams
042Electrical excitation ; ; Circuits therefor
0425Electrodes, e.g. characterised by the structure
H01S 5/0614
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
0607by varying physical parameters other than the potential of the electrodes, e.g. by an electric or magnetic field, mechanical deformation, pressure, light, temperature
0614controlled by electric field, i.e. whereby an additional electric field is used to tune the bandgap, e.g. using the Stark-effect
H01S 5/34
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
30Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
34comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well lasers [SQW-lasers], multiple quantum well lasers [MQW-lasers] or graded index separate confinement heterostructure lasers [GRINSCH-lasers]
Déposants XIAMEN SANAN INTEGRATED CIRCUIT CO., LTD.
厦门市三安集成电路有限公司
Inventeurs SUN WEIZHONG
孙维忠
CAI WENBI
蔡文必
KE CHENG
柯程
Mandataires 北京超成律师事务所 11646
Titre
(EN) Segmented modulation structure, laser and manufacturing method thereof
(ZH) 分段式调制结构、激光器及其制作方法
Abrégé
(EN)
The invention provides a segmented modulation structure, a laser and a manufacturing method thereof, and relates to the technical field of semiconductors and communication. The segmented modulation structure comprises an epitaxial substrate and a segmented P-face electrode manufactured on the epitaxial substrate. The segmented P-face electrode comprises a first electrode and a second electrode which are arranged at an interval, and an area between the first electrode and the epitaxial substrate is a DC modulation area; the first electrode is used for the input of a constant direct current, andan area between the second electrode and the epitaxial substrate is an AC modulation area; and the second electrode is used for the input of a signal AC modulation current. Thus, the volume of the ACmodulation cavity can be reduced, the modulation bandwidth is improved, and high-speed modulation is realized so as to be suitable for high-speed transmission. Meanwhile, the difference between a 0 signal current and a 1 signal current of the modulation region is reduced, and the chirp of the optical frequency can be reduced, so that the dispersion of an optical signal in an optical fiber transmission process is smaller, the requirement of long-distance communication can be met, the process is simple, and the manufacturing yield is high.

(ZH)
本申请提供了一种分段式调制结构、激光器及其制作方法,涉及半导体和通信技术领域。分段式调制结构包括外延基板和在外延基板上制作的分段式P面电极,其中,分段式P面电极包括间隔设置的第一电极和第二电极,第一电极与外延基板之间的区域为直流调制区,第一电极用于接入恒定直流电,第二电极与外延基板之间的区域为交流调制区,第二电极用于接入信号交流调制电流。这样,能够减小交流调制腔的体积,提高调制带宽,实现高速率的调制,以适用于高速率传输。同时,调制区的0信号电流和1信号电流差值减小,能够减小光频率啁啾,使得光信号在光纤传输过程中色散相对较小,可以适用于长距离通信的要求,而且工艺制程简单,制造的良率高。

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