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1. CN110518079 - Thin-film photovoltaic cell with high photoelectric conversion rate and preparation process thereof

Office
Chine
Numéro de la demande 201910931288.7
Date de la demande 29.09.2019
Numéro de publication 110518079
Date de publication 29.11.2019
Type de publication A
CIB
H01L 31/0224
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
02Détails
0224Electrodes
H01L 31/0445
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque
042Modules PV ou matrices de cellules PV individuelles
0445comportant des cellules solaires en couches minces, p.ex. cellules solaires en a-Si, CIS ou CdTe
H01L 31/0468
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque
042Modules PV ou matrices de cellules PV individuelles
0445comportant des cellules solaires en couches minces, p.ex. cellules solaires en a-Si, CIS ou CdTe
046Modules PV composés d'une pluralité de cellules solaires en couches minces déposées sur un même substrat
0468comportant des moyens spécifiques pour obtenir une transmission partielle de la lumière à travers le module, p.ex. modules solaires en couches minces partiellement transparentes pour fenêtres
H01L 31/18
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
18Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
CPC
H01L 31/022425
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0224Electrodes
022408for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
022425for solar cells
H01L 31/022441
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0224Electrodes
022408for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
022425for solar cells
022441Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
H01L 31/022466
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0224Electrodes
022466made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
H01L 31/18
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
H01L 31/1884
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
1884Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
H01L 31/0445
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
04adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
042PV modules or arrays of single PV cells
0445including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
Déposants TRULY SEMICONDUCTORS CO., LTD.
信利半导体有限公司
Inventeurs SUI BIN
眭斌
ZHANG WEICANG
张为苍
XIE XIONGCAI
谢雄才
ZHANG WENJIN
张文进
YANG LIANG
杨亮
Mandataires 广州粤高专利商标代理有限公司 44102
Titre
(EN) Thin-film photovoltaic cell with high photoelectric conversion rate and preparation process thereof
(ZH) 一种光电转换率高的薄膜光伏电池及其制备工艺
Abrégé
(EN)
The invention discloses a thin-film photovoltaic cell with high photoelectric conversion rate and a preparation process thereof. The thin-film photovoltaic cell comprises a transparent substrate and photovoltaic units arranged on the transparent substrate in a mode of facing towards a display module, wherein the photovoltaic unit arranged in a display area comprises a transparent front electrode arranged on the transparent substrate, a light absorption layer arranged on the transparent front electrode and a transparent back electrode arranged on the light absorption layer; and the photovoltaicunit arranged in a non-display area comprises a transparent front electrode arranged on the transparent substrate, a light absorption layer arranged on the transparent front electrode and a metal back electrode arranged on the light absorption layer. By implementing the invention, the front electrode and the back electrode corresponding to the display area of the display module are arranged to betransparent, so that various light sources can be bidirectionally absorbed on the side facing the display module and the side back to the display module at the same time, and the conversion efficiency of the thin-film photovoltaic cell is improved especially under the low-light condition.

(ZH)
本发明公开了一种光电转换率高的薄膜光伏电池及其制备工艺,其中薄膜光伏电池包括透明基板和设于所述透明基板上且朝向显示模组布置的光伏单元,设置在显示区的光伏单元包括设于所述透明基板上的透明前电极、设于所述透明前电极上的光吸收层以及设于所述光吸收层上的透明背电极;设置在非显示区的光伏单元包括设于所述透明基板上的透明前电极、设于所述透明前电极上的光吸收层以及设于所述光吸收层上的金属背电极。实施本发明,通过将对应显示模组的显示区的前电极和背电极均设置为透明的,可以在朝向显示模组的一侧和背向显示模组的一侧同时进行双向吸收各种光源,特别是在弱光条件下,提高薄膜光伏电池的转换效率。

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