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1. CN109930135 - Spray pyrolysis preparation method of gradient self-doping multi-metal oxide semiconductor film

Office Chine
Numéro de la demande 201910245436.X
Date de la demande 28.03.2019
Numéro de publication 109930135
Date de publication 25.06.2019
Type de publication A
CIB
C23C 18/12
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
18Revêtement chimique par décomposition soit de composés liquides, soit de solutions des composés constituant le revêtement, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement; Dépôt par contact
02par décomposition thermique
12caractérisée par le dépôt sur des matériaux inorganiques, autres que des matériaux métalliques
CPC
C23C 18/12
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
18Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
02by thermal decomposition
12characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
Déposants CHINA NATIONAL ANALYTICAL CENTER, GUANGZHOU GUANGDONG INSTITUTE OF ANALYSIS
广东省测试分析研究所(中国广州分析测试中心)
Inventeurs WANG FUXIAN
汪福宪
GUO PENGRAN
郭鹏然
ZHANG FANG
张芳
LIANG WEIXIN
梁维新
Mandataires 广州科粤专利商标代理有限公司 44001
广州科粤专利商标代理有限公司 44001
Titre
(EN) Spray pyrolysis preparation method of gradient self-doping multi-metal oxide semiconductor film
(ZH) 梯度自掺杂多元金属氧化物半导体薄膜的喷雾热解制备方法
Abrégé
(EN)
The invention discloses a spray pyrolysis preparation method of a gradient self-doping multi-metal oxide AxByOz semiconductor film. Liquid feeding rates of a precursor solution of A and a precursor solution of B are accurately controlled by using a liquid feeding flow rate gradual change controller, a ratio of metal ions is regulated in the film coating process by adjusting the initial liquid feeding rate and a liquid feeding flow rate gradual change rate, on the premise that oxide impurity phase precipitation of one metal of A or B is inhibited, controllable adjustment of a ratio gradient ofmetal ions A/B between the bottoms and the tops of films with different thickness is realized, and thus the gradient self-doping multi-metal oxide AxByOz semiconductor film with the controllable ratiogradient of A/B from the bottom to the top of the film and the controllable thickness is prepared. The method does not need to be assisted by high-temperature heat diffusion to form the controllableratio gradient of the metal ions A/B, so that the problems that the ratio gradient of A/B is uncontrollable based on the spray pyrolysis method with the assistance of high-temperature heat diffusion,and oxide phase separation of one metal of A or B is easily generated can be effectively avoided.

(ZH)
本发明公开了一种梯度自掺杂多元金属氧化物AxByOz半导体薄膜的喷雾热解制备方法,利用给液流速渐控制器变精确控制A、B前驱体溶液的给液速率,通过调节起始给液速率和给液流速渐变速率,在镀膜过程中调控金属离子的比例,在抑制A或B的一元金属氧化物杂相析出的前提下,实现不同厚度薄膜底部至顶部之间金属离子A/B比例梯度的可控调节,制备从薄膜底部至顶部A/B比例梯度、厚度皆可控的梯度自掺杂多元金属氧化物AxByOz半导体薄膜,该技术不需要依靠高温热扩散辅助形成金属离子A/B可控比例梯度,可以有效避免高温热辅助喷雾热解法中A/B比例梯度不可控、容易出现A或B的一元金属氧化物相分离问题。

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