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Paramétrages

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1. CN103890657 - Large-size phase shift mask and producing method of same

Office
Chine
Numéro de la demande 201280051359.0
Date de la demande 19.10.2012
Numéro de publication 103890657
Date de publication 25.06.2014
Numéro de délivrance 103890657
Date de délivrance
Type de publication A
CIB
G03F 1/26
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
1Originaux pour la production par voie photomécanique de surfaces texturées, p.ex. masques, photomasques ou réticules; Masques vierges ou pellicules à cet effet; Réceptacles spécialement adaptés à ces originaux; Leur préparation
26Masques à décalage de phase ; Substrats pour PSM; Leur préparation
G03F 1/46
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
1Originaux pour la production par voie photomécanique de surfaces texturées, p.ex. masques, photomasques ou réticules; Masques vierges ou pellicules à cet effet; Réceptacles spécialement adaptés à ces originaux; Leur préparation
38Masques à caractéristiques supplémentaires, p.ex. marquages pour l'alignement ou les tests, ou couches particulières; Leur préparation
46Couches antiréfléchissantes
CPC
G03F 1/26
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
26Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
G03F 1/32
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
26Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
32Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion,; Preparation thereof
Déposants DAI NIPPON PRINTING CO., LTD.
Inventeurs KINOSHITA KAZUKI
TOBITA ATSUSHI
NISHIMA SATORU
Mandataires luo yunpo
Données relatives à la priorité 2011-231529 21.10.2011 JP
Titre
(EN) Large-size phase shift mask and producing method of same
(ZH) 大型相移掩模及大型相移掩模的制造方法
Abrégé
(EN) The present invention provides a large-size photo mask which exposes a large-size region and has a structure suitable for forming fine patterns, and a producing method of the large-size photo mask. A large-size photo mask which is easily produced and is capable of transferring fine patterns is obtained by a structure, wherein a primary component of a light shielding film is chromium or a chromium compound, a primary component of a phase shift film is chromic oxide or chromic nitric oxide, and the phase shift film is laminated on the light shielding film in a light shielding region. Further, the large-size photo mask further comprises an antireflection film made of a chromium compound between the light shielding film and the phase shift film, and thereby reflection rate of the light shielding region is restrained.
(ZH)

本发明提供一种作为曝光大尺寸区域的大型光掩模且适合形成微细图案的构成的相移掩模及其制造方法。藉由构成为遮光膜以铬或铬化合物为主成分,相移膜以氧化铬乃至氮氧化铬为主成分,且在上述遮光区域中在遮光膜上层叠有相移膜,而获得容易制造且可转印微细图案的大型相移掩模。另外,在遮光膜与相移膜之间,构成为还具有包含铬化合物的抗反射膜,抑制遮光区域的反射率。