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1. WO2020158400 - DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE

Numéro de publication WO/2020/158400
Date de publication 06.08.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2020/001164
Date du dépôt international 16.01.2020
CIB
H04N 5/369 2011.1
HÉLECTRICITÉ
04TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
NTRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5Détails des systèmes de télévision
30Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335utilisant des capteurs d'images à l'état solide  
369architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
H01L 27/146 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144Dispositifs commandés par rayonnement
146Structures de capteurs d'images
H04N 5/367 2011.1
HÉLECTRICITÉ
04TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
NTRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5Détails des systèmes de télévision
30Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335utilisant des capteurs d'images à l'état solide  
357Traitement du bruit, p.ex. détection, correction, réduction ou élimination du bruit
365appliqué au bruit à motif fixe, p.ex. non-uniformité de la réponse
367appliqué aux défauts, p.ex. pixels non réactifs
H04N 5/378 2011.1
HÉLECTRICITÉ
04TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
NTRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5Détails des systèmes de télévision
30Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335utilisant des capteurs d'images à l'état solide  
369architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
378Circuits de lecture, p.ex. circuits d’échantillonnage double corrélé , amplificateurs de sortie ou convertisseurs A/N
CPC
H01L 27/146
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
H04N 5/367
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
357Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
365applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response
367applied to defects, e.g. non-responsive pixels
H04N 5/369
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
369SSIS architecture; Circuitry associated therewith
H04N 5/374
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
369SSIS architecture; Circuitry associated therewith
374Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
H04N 5/378
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
369SSIS architecture; Circuitry associated therewith
378Readout circuits, e.g. correlated double sampling [CDS] circuits, output amplifiers or A/D converters
Déposants
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 朝倉 ルォンフォン ASAKURA Luonghung
Mandataires
  • 西川 孝 NISHIKAWA Takashi
  • 稲本 義雄 INAMOTO Yoshio
  • 三浦 勇介 MIURA Yusuke
Données relatives à la priorité
2019-01377530.01.2019JP
Langue de publication Japonais (ja)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像装置および電子機器
Abrégé
(EN) This technology relates to a solid-state imaging device and an electronic apparatus that enable wiring failures to be rectified with little redundancy. The solid-state imaging device comprises: a pixel array unit in which a plurality of pixels are disposed two-dimensionally in a matrix; one redundancy wire per n signal lines that transmit pixel signals from the pixels; and at least one redundancy switch that connects one signal line and the redundancy wire.
(FR) La présente invention concerne un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs et un appareil électronique qui permettent à de réparer des défaillances de câblage avec une faible redondance. Le dispositif d'imagerie à semi-conducteurs comprend : une unité de matrice de pixels dans laquelle une pluralité de pixels sont disposés de manière bidimensionnelle en une matrice ; un fil de redondance pour n lignes de signal qui transmettent des signaux de pixel à partir des pixels ; et au moins un interrupteur de redondance qui connecte une ligne de signal et le fil de redondance.
(JA) 本技術は、少ない冗長性で、配線不良を救済することができるようにする固体撮像装置および電子機器に関する。 固体撮像装置は、複数の画素が行列状に2次元配置された画素アレイ部と、画素からの画素信号を伝送するn本の信号線に対して、1本の冗長配線と、1本の信号線と冗長配線とを接続する1以上の冗長スイッチとを備える。本技術は、例えば、固体撮像装置等に適用できる。
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