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Paramétrages

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1. JP2010153895 - MAGNETORESISTIVE MULTIPLE LAYER DEVICE AND SENSOR ELEMENT

Office
Japon
Numéro de la demande 2010034541
Date de la demande 19.02.2010
Numéro de publication 2010153895
Date de publication 08.07.2010
Numéro de délivrance 5124606
Date de délivrance 02.11.2012
Type de publication B2
CIB
H01L 43/08
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
08Résistances commandées par un champ magnétique
G01R 33/09
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
RMESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
33Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
02Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques
06en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques
09des dispositifs magnéto-résistifs
CPC
B82Y 25/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
25Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
G01R 33/093
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
33Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
02Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
06using galvano-magnetic devices, e.g. Hall effect devices; using magneto-resistive devices
09Magnetoresistive devices
093using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
Déposants ROBERT BOSCH GMBH
ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング
Inventeurs RABE MAIK
マイク ラーベ
SIEGLE HENRIK
ヘンリク ジーグレ
Mandataires 矢野 敏雄
二宮 浩康
アインゼル・フェリックス=ラインハルト
Données relatives à la priorité 10258860 17.12.2002 DE
Titre
(EN) MAGNETORESISTIVE MULTIPLE LAYER DEVICE AND SENSOR ELEMENT
(JA) 磁気抵抗性の多層デバイスおよびセンサエレメント
Abrégé
(EN)

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a magnetoresistive multiple layer device that is temperature-independent of and highly sensitive to an external field.

SOLUTION: A stack has a first magnetic layer, a first intermediate layer, and a second magnetic layer arranged in this order toward a magnetic resistive stack, in which the first magnetic layer and the second magnetic layer are separated off from each other through the interposition of the non-magnetic first intermediate layer and ferromagnetically cross-coupled with each other, and the scattered-magnetic-field coupling of the two magnetic layers is directed oppositely to the ferromagnetic cross-coupling.

COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT


(JA)

【課題】外部磁界に対して温度に依存しない高い感度を有する磁気抵抗性の多層デバイスを提供する。
【解決手段】積層体は磁気抵抗性スタックに向かって順に第1の磁性層、第1の中間層および第2の磁性層を有しており、第1の磁性層および第2の磁性層は非磁性の第1の中間層を介して相互に分離され、かつ相互に強磁性クロスカップリングされており、2つの磁性層の散乱磁界結合は強磁性クロスカップリングに対して反対方向となっている。
【選択図】図1