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1. CN109801874 - Via hole structure, manufacturing method of via hole structure, electronic device and display device

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[ ZH ]

权利要求书

1.一种过孔结构,其特征在于,所述过孔结构包括:
依次设置的第一导电层、层间绝缘层和第二导电层,所述层间绝缘层具有过孔,所述过孔的内壁面为凹凸不平的曲面,所述第二导电层通过所述过孔与所述第一导电层搭接。

2.根据权利要求1所述的过孔结构,其特征在于,所述层间绝缘层远离所述第一导电层的一面为凹凸不平的表面。

3.根据权利要求2所述的过孔结构,其特征在于,
所述层间绝缘层远离所述第一导电层的一面和所述过孔的内壁面的粗糙度的取值范围为0.05d≤r≤0.15d,所述r表示所述粗糙度,所述d表示所述层间绝缘层的厚度。

4.一种过孔结构的制造方法,其特征在于,所述方法包括:
在衬底基板上依次形成第一导电层、初始绝缘层和掩膜图形层,所述掩膜图形层具有开口区域;
在所述初始绝缘层上与所述开口区域对应的区域形成过孔,得到层间绝缘层;
对所述过孔的内壁面进行粗糙化处理;
在所述层间绝缘层远离所述第一导电层的一侧形成第二导电层,所述第二导电层通过所述过孔与所述第一导电层搭接;
其中,所述第一导电层、所述层间绝缘层和所述第二导电层构成所述过孔结构。

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,在所述层间绝缘层远离所述第一导电层的一侧形成第二导电层之前,所述方法还包括:
对所述层间绝缘层远离所述第一导电层的一面进行粗糙化处理。

6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,在对所述层间绝缘层远离所述第一导电层的一面进行粗糙化处理之前,所述方法还包括:剥离所述掩膜图形层。

7.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,在对所述过孔的内壁面进行粗糙化处理之后,所述方法还包括:剥离所述掩膜图形层。

8.根据权利要求4至7任一所述的方法,其特征在于,所述对所述过孔的内壁面进行粗糙化处理,包括:采用预设的等离子体轰击所述过孔的内壁面,以对所述过孔的内壁面进行粗糙化处理,所述等离子体包括氦气、氩气和氧气中的至少一种。

9.一种电子器件,其特征在于,所述电子器件包括:权利要求1至3任一所述的过孔结构。

10.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括:权利要求9所述的电子器件。