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Análisis

1 / 439.141
1.WO/1994/015034HIGH R SUPER INSULATION PANEL
WO - 07.07.1994
Clasificación Internacional C03B 37/15
CQUIMICA; METALURGIA
03VIDRIO; LANA MINERAL O DE ESCORIA
BFABRICACION O MODELADO DE VIDRIO O DE LANA MINERAL O DE ESCORIA; PROCESOS SUPLEMENTARIOS EN LA FABRICACION O MODELADO DE VIDRIO O DE LANA MINERAL O DE ESCORIA
37Fabricación o tratamiento de fragmentos, fibras o filamentos a partir de vidrio, minerales o escorias reblandecidas
10Tratamiento no químico
14Acabado de fibras o filamentos
15con aplicación de calor, p. ej. para fabricar fibras ópticas
 Nº de solicitud PCT/US1993/012536 Solicitante OWENS-CORNING FIBERGLAS CORPORATION Inventor/a RUSEK, Stanley, J.
An insulation panel (18) comprises an insulation board (10) of glass fibers and a partially evacuated gas-tight envelope (20) encapsulating the board (10), where, prior to the evacuation of the envelope (20), the board (10) has been subjected to a heat setting process in which the board (10) is raised to a heat setting temperature above the strain temperature of the glass but below the softening temperature of the glass and to a pressure applied by opposed platens (12, 14) followed by a quick release of the board (10) from the platens (12, 14) prior to substantial cooling of the board (10).
2.WO/2003/017331SPEICHERZELLE MIT GRABENKONDENSATOR UND VERTIKALEM AUSWAHLTRANSISTOR UND EINEM ZWISCHEN DIESEN GEFORMTEN RINGFÖRMIGEN KONTAKTIERUNGSBEREICH
WO - 27.02.2003
Clasificación Internacional H01L 21/8242
HELECTRICIDAD
01ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
LDISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
70Fabricación o tratamiento de dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes de estado sólido o de circuitos integrados formados en o sobre un sustrato común, o de partes constitutivas específicas de éstos; Fabricación de dispositivos de circuito integrado o de partes constitutivas específicas de éstos
77Fabricación o tratamiento de dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes de estado sólido o circuitos integrados formados en o sobre un sustrato común
78con una división ulterior del sustrato en una pluralidad de componentes individuales
82para producir dispositivos, p. ej. circuitos integrados que consisten cada uno en una pluralidad de componentes
822siendo el sustrato un semiconductor, utilizando tecnología de silicio
8232Tecnología de efecto de campo
8234Tecnología MIS
8239Estructuras de memorias
8242Estructuras de memorias dinámicas de acceso aleatorio (DRAM)
 Nº de solicitud PCT/DE2002/002559 Solicitante INFINEON TECHNOLOGIES AG Inventor/a BIRNER, Albert
Die obere Kondensatorelektrode (10) des Grabenkondensators ist durch einen rohrförmigen monokristallinen Si-Kontaktierungsbereich (7.1) mit einem epitaktisch aufgewachsenen Source-/Drain-Gebiet (21) des Auswahltransistors (20) verbunden. Die Gateelektrodenschicht (24) weist einen ovalen Umfangsverlauf um den Transistor (20) auf, wobei die ovalen Umfangsverläufe der Gateelektrodenschichten (24) von entlang einer Wortleitung aneinandergereihter Speicherzellen zur Steigerung der Packungsdichte Überlappungsbereiche (24.3) bilden.
3.WO/2002/058070AUSWAHLEINRICHTUNG FÜR EINE HALBLEITERSPEICHEREINRICHTUNG
WO - 25.07.2002
Clasificación Internacional G11C 11/16
GFISICA
11REGISTRO DE LA INFORMACION
CMEMORIAS ESTATICAS
11Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes
02que utilizan elementos magnéticos
16que utilizan elementos en los que el efecto de almacenamiento está basado en el efecto de spin magnético
 Nº de solicitud PCT/DE2002/000141 Solicitante INFINEON TECHNOLOGIES AG Inventor/a VIEHMANN, Hans-Heinrich
Um bei einem Spaltenmultiplexer (10) einer Halbleiterspeichereinrichtung (1) von Leseströmen herrührende Spannungsabfälle zu vermeiden, wird vorgeschlagen, dass die Schalteinrichtungen (12) der Auswahleinrichtung (10) zwei Schaltelemente (T1, T2) aufweisen, wobei durch das erste und das zweite Schaltelement (T1, T2) zugeordnete Bitleitungen (4) jeweils mit einem Potenzialabtastanschluss (22) bzw. mit einem Stromeinspeiseanschluss (24) eines jeweils zugeordneten Leseverstärkers (20) verbindbar sind.
4.WO/2004/006011VERFAHREN UND ANORDNUNG ZUR HANDHABUNG VON RETIKELN
WO - 15.01.2004
Clasificación Internacional G03F 7/20
GFISICA
03FOTOGRAFIA; CINEMATOGRAFIA; TECNICAS ANALOGAS QUE UTILIZAN ONDAS DISTINTAS DE LAS ONDAS OPTICAS; ELECTROGRAFIA; HOLOGRAFIA
FPRODUCCION POR VIA FOTOMECANICA DE SUPERFICIES TEXTURADAS, p. ej. PARA LA IMPRESION, PARA EL TRATAMIENTO DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; MATERIALES A ESTE EFECTO; ORIGINALES A ESTE EFECTO; APARELLAJE ESPECIALMENTE ADAPTADO A ESTE EFECTO
7Producción por vía fotomecánica, p. ej. fotolitográfica, de superficies texturadas, p. ej. superficies impresas; Materiales a este efecto, p. ej. conllevando fotorreservas; Aparellaje especialmente adaptado a este efecto
20Exposición; Aparellaje a este efecto
 Nº de solicitud PCT/DE2003/002108 Solicitante INFINEON TECHNOLOGIES AG Inventor/a SCHEDEL, Thorsten
Der Erfindung, die eine Anordnung zur Ein- und Ausgabe von Retikeln in fotolithografischen Prozessen die mit einer Magazinaufnahme, in die ein Ein- und Ausgabemagazin, in dem zumindest ein horizontales Aufnahmefach zur Aufnahme eines Retikel vorgesehen ist, einsetzbar ist, einem Manipulator und einer das Retikelmagazin und/oder den Manipulator relativ zueinander bewegenden Antriebseinheit versehen ist, und auch ein Verfahren zur Ein- und Ausgabe von Retikeln in fotolithografischen Prozessen betrifft, bei dem mit Pellikeln versehene Retikel nach einem Einsetzen eines Ein- und Ausgabemagazines in eine mittels eines Manipulators aus einem Aufnahmefach des Ein- und Ausgabemagazines aufgenommen und dem fotolithografischen Prozess zugeführt werden, liegt die Aufgabe zugrunde, beim Einsatz in den fotolithografischen Prozess zu verhindern, dass Retikel, darauf angeordneten Pellikel oder Magazine, ausserhalb des voreingestellten Toleranzbereiches des Manipulationsbereiches des Manipulators liegen, um somit Beschädigungen oder Zerstörungen, zumindest des Retikels zu verhindern. Dies wird dadurch gelöst, dass ein mit dem Retikel korrespondierender Sensor angeordnet ist, der die Antriebseinheit steuernd zumindest mittelbar mit dieser verbunden ist und von dem Retikel signifikante Daten aufgenommen werden und mittels dieser Daten die Bewegung des Manipulators gesteuert werden.
5.WO/2003/038829SPEICHERANORDNUNG
WO - 08.05.2003
Clasificación Internacional G11C 5/14
GFISICA
11REGISTRO DE LA INFORMACION
CMEMORIAS ESTATICAS
5Detalles de memorias cubiertos por el grupo G11C11/72
14Disposiciones para la alimentación
 Nº de solicitud PCT/DE2002/003812 Solicitante INFINEON TECHNOLOGIES AG Inventor/a BANGERT, Joachim
Die Erfindung betrifft eine Speicheranordnung mit einem Energiespeicher (E2 - E5), der die beim Fliessen eines Schreib- bzw. Lesestromes transportierte Energie sammelt und für einen neuen Schreib- bzw. Lesevorgang zur Verfügung stellt.
6.WO/2003/049120MAGNETORESISTIVE SPEICHERZELLE MIT DYNAMISCHER REFERENZSCHICHT
WO - 12.06.2003
Clasificación Internacional G11C 11/15
GFISICA
11REGISTRO DE LA INFORMACION
CMEMORIAS ESTATICAS
11Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes
02que utilizan elementos magnéticos
14que utilizan elementos de películas finas
15que utilizan capas magnéticas múltiples
 Nº de solicitud PCT/DE2002/004323 Solicitante INFINEON TECHNOLOGIES AG Inventor/a BANGERT, Joachim
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Anordnung zur Erhöhung einer relativen Widerstandsdifferenz einer magnetoresistiven Speicherzelle mit jeweils einer Speicherschicht und einer Referenzschicht beidseits einer Tunnelbarriere zwischen einem ersten Magnetisierungszustand, in dem eine Magnetisierung der Speicherschicht einer Referenzmagnetisierung der Referenzschicht gleichgerichtet ist und einem zweiten Zustand, in dem die Magnetisierung der Referenzmagnetisierung entgegengerichtet ist, in einer Halbleitereinrichtung.
7.WO/2003/094257SILIZIUMPARTIKEL ALS ADDITIVE ZUR VERBESSERUNG DER LADUNGSTRÄGERMOBILITÄT IN ORGANISCHEN HALBLEITERN
WO - 13.11.2003
Clasificación Internacional H01L 51/30
HELECTRICIDAD
01ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
LDISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
51Dispositivos de estado sólido que utilizan materiales orgánicos como parte activa, o que utilizan como parte activa una combinación de materiales orgánicos con otros materiales; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dichos dispositivos o de sus partes constitutivas
05especialmente adaptados a la rectificación, a la amplificación, a la generación de oscilaciones o a la conmutación y que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias con al menos una barrera de potencial o de superficie
30Selección de materiales
 Nº de solicitud PCT/DE2003/001210 Solicitante INFINEON TECHNOLOGIES AG Inventor/a HALIK, Marcus
Die Erfindung betrifft eine Halbleitereinrichtung mit einer Halbleiterstrecke aus einem organischen Halbleitermaterial. Im organischen Halbleitermaterial sind statistisch Halbleiterpartikel oder Halbleitercluster verteilt. Die Halbleiterpartikel und/oder Halbleitercluster können auch durch Linkermoleküle verknüpft sein. Durch die Zugabe von Halbleiterpartikeln in das organische Halbleitermaterial können die elektrischen Eigenschaften beispielsweise eines Feldeffekttransistors, welcher eine derartige Halbleiterstrecke umfasst, verbessert werden.
8.WO/2004/008520VERFAHREN ZUR METALLSTRUKTURIERUNG MITTELS KOHLENSTOFF-MASKE
WO - 22.01.2004
Clasificación Internacional H01L 21/3213
HELECTRICIDAD
01ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
LDISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
04los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas
18los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen elementos del Grupo IV de la Tabla Periódica, o de compuestos AIIIBVcon o sin impurezas, p. ej. materiales de dopado
30Tratamiento de cuerpos semiconductores utilizando procesos o aparatos no cubiertos por los grupos H01L21/20-H01L21/26150
31para formar capas aislantes en superficie, p. ej. para enmascarar o utilizando técnicas fotolitográficas; Postratamiento de estas capas; Selección de materiales para estas capas
3205Depósito de capas no aislantes, p. ej. conductoras o resistivas, sobre capas aislantes; Postratamiento de esas capas
321Postratamiento
3213Grabado físico o químico de las capas, p. ej. para producir una capa con una configuración determinada a partir de una capa extendida predepositada
 Nº de solicitud PCT/DE2003/002125 Solicitante INFINEON TECHNOLOGIES AG Inventor/a BACHMANN, Jens
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Metallstrukturierung, bei dem auf einem Si-Substrat (1) mittels Abscheide-Verfahren wenigstens eine Metallschicht (2) Z.B.aus Aluminium abgeschieden wird, auf der nachfolgend eine Ätzmaske erzeugt wird und anschliessend mittels Ätzen, vorzugsweise durch Plasmaätzen, die Metallschicht strukturiert wird. Durch die Erfindung soll ein vereinfachtes Verfahren zur Metallstrukturierung geschaffen werden, mit dem mit einfachen Mitteln während der Ätzprozesses eine ausreichende Passivierung der geätzten Metallstrukturen sichergestellt wird. Erfindungsgemäss wird dazu auf der bereits abgeschiedenen und zu strukturierenden Metallschicht (2) zunächst eine Hard- Mask-Schicht in Form einer Kohlenstoffschicht (3) und auf dieser Resist (5) abgeschieden und nach der Strukturierung des Resists die Kohlenstoffschicht durch Strippen zu einer Kohlenstoffmaske strukturiert. Danach wird mit der die Strukturen definierenden Kohlenstoffmaske die Metallätzung der Metallschicht bei gleischzeitiger Seitenwandpassivierung ausgeführt und anschliessend die Masken gestrippt.
9.WO/2003/092011HALBLEITERSPEICHEREINRICHTUNG UND BETRIEBSVERFAHREN FÜR EINE HALBLEITERSPEICHEREINRICHTUNG
WO - 06.11.2003
Clasificación Internacional G11C 11/16
GFISICA
11REGISTRO DE LA INFORMACION
CMEMORIAS ESTATICAS
11Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes
02que utilizan elementos magnéticos
16que utilizan elementos en los que el efecto de almacenamiento está basado en el efecto de spin magnético
 Nº de solicitud PCT/DE2003/001024 Solicitante INFINEON TECHNOLOGIES AG Inventor/a WURM, Stefan
Es wird eine magneto-resistive Halbleiterspeichereinrichtung (10) vorgeschlagen, bei welcher mittels einer Magnetfeldbeaufschlagungseinrichtung (40) Speicherzellen (30) mit einem Magnetfeld (H) derart beaufschlagbar sind, dass hartmagnetischen Schichten (31h) der beaufschlagten Speicherzellen (30) eine gewünschte Sollmagnetisierung (Msoll) aufprägbar ist.
10.WO/2003/025945KOMPENSATION EINES MAGNETISCHEN BIASFELDES IN EINER SPEICHERSCHICHT EINER MAGNETORESISTIVEN SPEICHERZELLE
WO - 27.03.2003
Clasificación Internacional G11C 11/16
GFISICA
11REGISTRO DE LA INFORMACION
CMEMORIAS ESTATICAS
11Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes
02que utilizan elementos magnéticos
16que utilizan elementos en los que el efecto de almacenamiento está basado en el efecto de spin magnético
 Nº de solicitud PCT/DE2002/003120 Solicitante INFINEON TECHNOLOGIES AG Inventor/a BANGERT, Joachim
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Anordnung zur Kompensation eines magnetischen Biasfeldes in einer Speicherschicht (1) einer in einer Halbleitereinrichtung (7) vorgesehenen magnetoresistiven Speicherzelle (6). Ausserdem betrifft die Erfindung Verfahren zur Kompensation eines solchen Biasfeldes.
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