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ALLNUM:JP2003005299

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Análisis

1 / 1
1.2004217977AMORPHOUS NITRIDED CARBON FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
JP - 05.08.2004
Clasificación Internacional C23C 16/36
CQUIMICA; METALURGIA
23REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL
CREVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL
16Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor
22caracterizado por la deposición de materiales inorgánicos, distintos de los materiales metálicos
30Deposición de compuestos, de mezclas o de soluciones sólidas, p. ej. boruros, carburos, nitruros
36Carbo-nitruros
 Nº de solicitud 2003005299 Solicitante NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL & TECHNOLOGY Inventor/a MIYAGAWA SOUJI

PROBLEM TO BE SOLVED: To form an amorphous nitrided carbon film superior in electrical conductivity, corrosion resistance and adhesiveness.

SOLUTION: The method for manufacturing a composite of an amorphous nitrided carbon film with a substrate having an amorphous nitrided carbon film with high conductivity thereon, comprises (1) immersing a substrate in methane gas plasma in a vacuum chamber, irradiating the substrate with positive ions in the plasma, and forming an ion-implanted layer in a surface layer; (2) introducing a mixed gas of hydrocarbon and nitrogen to the vacuum chamber, generating the plasma, depositing the radicals on the substrate, applying a negative voltage to the substrate, and irradiating the substrate with the accelerated positive ions; (3) at the same time, applying a high-voltage positive pulse (0.5 to 15 kV) to the substrate, and irradiating the substrate with electrons in the plasma, to activate only the surface layer with the pulse and convert it into a high-temperature state; and (4) depositing the radicals and ions of hydrocarbon and nitrogen on the substrate by the steps described above.

COPYRIGHT: (C)2004,JPO&NCIPI

2.2003005299FILM SCANNER
JP - 08.01.2003
Clasificación Internacional G03B 27/32
GFISICA
03FOTOGRAFIA; CINEMATOGRAFIA; TECNICAS ANALOGAS QUE UTILIZAN ONDAS DISTINTAS DE LAS ONDAS OPTICAS; ELECTROGRAFIA; HOLOGRAFIA
BAPARATOS O DISPOSITIVOS PARA HACER FOTOGRAFIAS, PARA PROYECTARLAS O VERLAS; APARATOS O DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN TECNICAS ANALOGAS UTILIZANDO ONDAS DIFERENTES DE LAS ONDAS OPTICAS; SUS ACCESORIOS
27Dispositivos de reproducción fotográfica
32Aparatos de reproducción por proyección, p. ej. ampliador, aparatos fotográficos de reproducción
 Nº de solicitud 2001190795 Solicitante NORITSU KOKI CO LTD Inventor/a HIDA KEIJI

PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress the occurrence of reflection of a mount part on a print or omission of a picture, which is caused by variance of the range of an aperture formed in the mount.

SOLUTION: A range larger than an aperture 8a formed in a mount 8 is prescanned by a C line sensor 108 on the basis of control of a prescanning control part 111. The range of the aperture formed in the mount 8 is automatically recognized by a scanning range setting part 112 on the basis of image data obtained by prescanning. Only the range of the aperture formed in the mount 8 is scanned on the basis of control of a scanning control part 113, and image data obtained by scanning is processed by a picture processing part 114 and is exposed on a photographic paper by a print head 109.

COPYRIGHT: (C)2003,JPO

3.WO/2003/090926METHOD FOR PREPARING RUTHENIUM-CARRYING ALUMINA AND METHOD FOR OXIDIZING ALCOHOL
WO - 06.11.2003
Clasificación Internacional B01J 21/04
BTECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES
01PROCEDIMIENTOS O APARATOS FISICOS O QUIMICOS EN GENERAL
JPROCEDIMIENTOS QUÍMICOS O FÍSICOS, p. ej. CATÁLISIS O QUÍMICA DE LOS COLOIDES; APARATOS ADECUADOS
21Catalizadores que contienen los elementos, los óxidos o los hidróxidos de magnesio, de boro, de aluminio, de carbono, de silicio, de titanio, de zirconio o de hafnio
02Boro o aluminio; Sus óxidos o hidróxidos
04Alúmina
 Nº de solicitud PCT/JP2003/005299 Solicitante SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED Inventor/a MIZUNO, Noritaka
A method for preparing a ruthenium-carrying alumina which comprises suspending alumina in a solution containing a tri-valent ruthenium, and then adding a base to the resultant suspension. A ruthenium-carrying alumina is useful as a catalyst for use in contacting an alcohol with molecular oxygen to oxidize the alcohol, and can be used for oxidizing an alcohol at an enhanced conversion and producing a ketone, an aldehyde, a carboxylic acid and the like with improved productivity.
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